Исследованы торцевые лазеры с активной областью на основе нового типа наногетероструктур InGaAs/GaAs переходной размерности, именно структур квантовые яма-точки, занимающих по своим свойствам промежуточное положение между квантовыми ямами и квантовыми точками. Показано, что скорость коротковолнового сдвига линии лазерной генерации при уменьшении длины резонатора замедляется как с увеличением числа слоев в активной области, так и с возрастанием фактора оптического ограничения. В лазере с 10 слоями квантовых яма-точек линия лазерной генерации остается в пределах основного оптического перехода вплоть до самых малых длин резонатора (100 мкм). В приборах с одним слоем квантовых яма-точек и (или) малым фактором оптического ограничения при уменьшении длины резонатора до ≤200 мкм происходит переключение лазерной генерации с основного состояния квантовых яма-точек непосредственно на состояния волновода, минуя возбужденные состояния. Данный эффект не наблюдался в лазерах на квантовых ямах и квантовых точках и может быть следствием аномально малой плотности возбужденных состояний в квантовых яма-точках. Ключевые слова: квантовые яма-точки, полупроводниковые лазеры, конструкция волновода, полосковые лазеры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.