Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания

Хабибуллин Р.А.¹, Галиев Г.Б.¹, Климов Е.А.¹, Пономарев Д.С.¹, Васильевский И.С.², Кульбачинский В.А.³, Боков П.Ю.³, Авакянц Л.П.³, Червяков А.В.³, Маль цев П.П.¹

¹Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

³Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 11 декабря 2012 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена серия гетероструктур с разной глубиной залегания квантовой ямы и приблизительно одинаковой концентрацией двумерных электронов. На основании данных спектроскопии фотоотражения относительно напряженности встроенного электрического поля в образцах проведен расчет зонной структуры для области квантовой ямы. Обнаружено, что максимальная подвижность двумерных электронов mu_e достигается в образце с толщиной барьерного слоя L_b=11 нм. Из спектров фотолюминесценции и расчетов зонной структуры образцов установлено, что при приближении квантовой ямы к поверхности происходит пространственное уширение профиля легирования из-за процессов диффузии и сегрегации. Объяснена немонотонность зависимости mu_e от глубины залегания квантовой ямы.

J.A. del Alamo. Nature, 479, 317 (2011)
D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Electron Dev. Lett., 29 (8), 830 (2008)
D.H. Kim, J. del Alamo. IEEE Trans. Electron. Dev., 55 (7), 1504 (2010)
G.H. Jessen, R.C. Fitch, J.K. Gillespie, G. Via, A. Crespo, D. Langley, D.J. Denninghoff, M. Trejo, E.R. Heller. IEEE Trans. Electron. Dev., 54 (10), 2589 (2007)
A. Endoh, Y. Yamashita, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, T. Mimura. Jpn. J. Appl. Phys., 42 (4), 2214 (2003)
R. Chau, S. Datta, M. Doczy, B. Doyle, B. Jin, J. Kavalieros, A. Majumdar, M. Metz, M. Radosavljevic. IEEE Trans. Nanotechnology, 4 (2), 153 (2005)
D. Esseni, A. Abramo, L. Selmi, E. Sangiorgi. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (12), 2445 (2003)
N. Kharche, G. Klimeck, D.-H. Kim, J.A. del Alamo, M. Luisier. IEEE Trans. Electron. Dev., 58 (7), 1963 (2011)
D.-H. Kim, J.A. del Alamo, P. Chen, W. Ha, M. Urteaga, B. Brar. IEEE Int. Electron. Dev. Meeting (2010) p. 692
T.-W. Kim, R.J. Hill, C.D. Young, D. Veksler, J. Oh, C.Y. Kang, D.-H. Kim, J.A. del Alamo, C. Hobbs, P. Kirsch, R. Jammy. Symposium on VLSI Technology (Honolulu, 2012) p. 179
T.-W. Kim, D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Int. Electron. Dev. Meeting (2009) p. 483
Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45 (5), 666 (2011)
R.A. Khabibullin, I.S. Vasil'evskii, D.S. Ponomarev, G.B. Galiev, E.A. Klimov, L.P. Avakyanz, P.Yu. Bokov, A.V. Chervyakov. J. Phys.: Conf. Ser., 345, 012 015 (2012)
Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, А.В. Червяков. ЖТФ, 75 (10), 66 (2005)
Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, Н.А. Юзеева, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов. Ядерная физика и инжиниринг, 3 (2), 1 (2012)
D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 7, 4605 (1973)
L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75 (10), 4779 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель