Вышедшие номера
Анализ механизмов световой деградации в солнечных фотопреобразователях alpha-Si:H/mu-Si:H
Емельянов В.М.1, Абрамов А.С.1,2, Бобыль А.В.1, Вербицкий В.Н.1,3, Гудовских А.С.4, Ершенко Е.М.1, Кудряшов С.А.1, Теруков Е.И.1,2, Честа О.И.1, Шварц М.З.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Хевел", Москва, Россия
4Санкт-Петербургский aкадемический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 января 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

Проведен анализ световой деградации слоя i-alpha-Si:H в тандемных фотопреобразователях на основе структур alpha-Si:H/mu c-Si:H с использованием моделей "H-коллизий" и "плавающих" связей, а также их модификаций. Показано, что форма деградационной зависимости хорошо описывается всеми рассмотренными моделями. Оригинальные модели "H-коллизий" и "плавающих связей" в сравнении с модифицированными дают оценки для концентраций свободных связей при насыщении деградации, которые во всех случаях зависят от интенсивности вызвавшего деградацию света. Модифицированная модель "плавающих связей" позволяет исключить такую зависимость, а модифицированная модель "H-коллизий" описывает наличие этой зависимости в одном диапазоне освещенностей и ее отсутствие в другом, что наилучшим образом согласуется с экспериментальными данными.