Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
3Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
4Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, ZIK SiLi-nano, Halle (Saale), Germany
5Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), Germany
6Петербургский государственный университет путей сообщения императора Александра I, Санкт-Петербург, Россия
7Научно-исследовательский институт физико-химических проблем Белорусского государственного университета, Минск, Беларусь
2Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
3Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
4Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, ZIK SiLi-nano, Halle (Saale), Germany
5Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), Germany
6Петербургский государственный университет путей сообщения императора Александра I, Санкт-Петербург, Россия
7Научно-исследовательский институт физико-химических проблем Белорусского государственного университета, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 20 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.
Показана возможность создания композитной системы на основе коллоидных квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs. С помощью методов электронной микроскопии и спектроскопии фотолюминесценции исследованы ее структурные и излучательные свойства. Хорошая смачиваемость и развитая поверхность массива ННК приводят к росту числа КТ на единицу площади и, как следствие, к увеличению светимости системы в области 600 нм. Обнаружена хорошая температурная стабильность спектра фотолюминесценции квантовых точек в диапазоне 10-295 K. Обсуждается вклад поверхностных состояний в релаксацию энергии и роль экситонных состояний в излучательной рекомбинации квантовых точек.
- А.И. Екимов, А.А. Онущенко. Письма ЖЭТФ, 34 (6), 363 (1981)
- G.E. Cirlin, G.M. Guryanov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 67, 97 (1995)
- P.M. Petrroff, S.P. Denbaars. Superlat. Microstr., 15, 15 (1994)
- G.E. Cirlin, V.N. Petrov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, V.G. Dubrovskii, G.M. Guryanov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Surf. Sci., 377--379, 895 (1997)
- G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, N.P. Korneeva, V.N. Demidov, A.O. Golubok, S.A. Masalov, D.V. Kurochkin, O.M. Gorbenko, N.I. Komyak, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol. IOP Published Ltd. UK, 13, 1262 (1998)
- B.O. Dabbousi, J. Rodriguez-Viejo, F.V. Mikulec, J.R. Heine, H. Mattoussi, R. Ober, K.F. Jensen, M.G. Bawendi. J. Phys. Chem. B, 101, 9463 (1997)
- G.W. Walker, V.C. Sundar, C.M. Rudzinski, A.W. Wun, M.G. Bawendi, D.G. Nocera. Appl. Phys. Lett., 83, 17 (2003)
- C.B. Murray, C.R. Kagan. Ann. Rev. Mater. Sci., 30, 545 (2000)
- D. Valerini, A. Creti, M. Lomascolo, L. Manna, R. Cingolani, M. Anni. Phys. Rev. B, 71, 235 409 (2005)
- A.O. Orlova, Y.A. Gromova, A.V. Savelyeva, V.G. Maslov, M.V. Artemyev, A. Prudnikau, A.V. Fedorov, A.V. Baranov. Nanotechnology, 22, 455 201 (2011)
- Г.И. Целиков, В.Ю. Тимошенко, Ю. Пленге, Э. Зюль, А.М. Шаталова, Г.А. Шандрюк, А.С. Меркалов, Р.В. Тальрозе. ФТП, 47 (5), 633 (2013)
- V.I. Klimov. Los Alamos Sci., 28, 214 (2003)
- S. Coe, W-K. Woo, M. Bawendi, V. Bulovich. Nature, 420, 800 (2002)
- C.A. Leatherdale, C.R. Kagan, N.Y. Morgan, S.A. Empedocles, M.A. Kastner, M.G. Bawendi. Phys. Rev. B, 62 (4), 2669 (2000)
- D. Talapin, C. Murray. Science, 310, 86 (2005)
- I.L. Medintz, H.T. Uyeda, E.R. Goldman, H. Mattuossi. Nature Materials, 4, 435 (2005)
- В.А. Олейников, А.В. Суханова, И.Р. Набиев. Росс. нанотехнологии, 1--2, 160 (2007)
- Bishnu P. Khanal, Anshu Pandey, Liang Li, Qianglu Lin, Wan Ki Bae, Hongmei Luo, V.I. Klimov, Jeffrey M. Pietryga. ACS Nano, 6 (5), 3832 (2012)
- G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, K. Durose, Y.Y. Proskuryakov, Budhikar Mendes, L. Bowen, M.A. Kaliteevski, R.A. Abram, Dagou Zeze. Phys. Rev. B, 82, 035 302 (2010)
- D. Valerini, A. Creti, M. Lomascolo. Phys. Rev. B, 71, 335 409 (2005)
- A. Antipov, M. Bell, M. Yasar, V. Mitin, W. Scharmach, M. Swihart, A. Verevkin, A. Sergeev. Nano Express, 6, 142 (2011)
- D.E. Cooper, J. Bajaj, P.R. Newman. J. Cryst. Growth, 86, 544 (1988)
- С.В. Карпов, С.В. Микушев. ФТТ, 52 (8), 1627 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
