Вышедшие номера
Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом
Калинин К.П.1, Криштопенко С.С.1, Маремьянин К.В.1, Спирин К.Е.1, Гавриленко В.И.1, Бирюков А.А.2, Байдусь Н.В.2, Звонков Б.Н.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Проведены экспериментальные исследования циклотронного резонанса и магнитотранспорта в напряженных гетероструктурах InP/InGaAs/InP c асимметричными квантовыми ямами при 4.2 K. Продемонстрировано возрастание циклотронной массы на уровне Ферми от 0.047m0 до 0.057m0 с ростом концентрации двумерных электронов от 5.5·1011 до 2.1·1012 см-2. Из фурье-анализа биений осцилляций Шубникова-де-Гааза определены значения спинового расщепления Рашбы на уровне Ферми. Полученные экспериментальные данные сравниваются с теоретическими результатами самосогласованных расчетов энергетического спектра и циклотронных масс 2D электронов, выполненных с использованием 8-зонного k· p гамильтониана.