Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2013, выпуск 11 » Статья стр. 1497
<<<>>>
Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом
Калинин К.П.1, Криштопенко С.С.1, Маремьянин К.В.1, Спирин К.Е.1, Гавриленко В.И.1, Бирюков А.А.2, Байдусь Н.В.2, Звонков Б.Н.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.
PDF версия
Проведены экспериментальные исследования циклотронного резонанса и магнитотранспорта в напряженных гетероструктурах InP/InGaAs/InP c асимметричными квантовыми ямами при 4.2 K. Продемонстрировано возрастание циклотронной массы на уровне Ферми от 0.047m0 до 0.057m0 с ростом концентрации двумерных электронов от 5.5·1011 до 2.1·1012 см-2. Из фурье-анализа биений осцилляций Шубникова-де-Гааза определены значения спинового расщепления Рашбы на уровне Ферми. Полученные экспериментальные данные сравниваются с теоретическими результатами самосогласованных расчетов энергетического спектра и циклотронных масс 2D электронов, выполненных с использованием 8-зонного k· p гамильтониана.
  1. Yu.G. Sadofyev, A. Ramamoorthy, B. Naser, J.P. Bird, S.R. Johnson, Y.-H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 81, 1833 (2002)
  2. G.A. Khodaparast, R.C. Meyer, X.H. Zhang, T. Kasturiarachchi, R.E. Doezema, S.J. Chung, N. Goel, M.B. Santos, Y.J. Wang. Physica E, 20, 386 (2004)
  3. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, С.С. Криштопенко, Ю.Г. Садофьев, К.Е. Спирин. ФТП, 42, 846 (2008). [V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, A.V. Ikonnikov, S.S. Krishtopenko, Yu.G. Sadofyev, K.E. Spirin. Semiconductors, 42, 828 (2008) --- English version]
  4. A.M. Gilbertson, W.R. Branford, M. Fearn, L. Buckle, P.D. Buckle, T. Ashley, L.F. Cohen. Phys. Rev. B, 79, 235 333 (2009)
  5. В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, С.С. Криштопенко, А.А. Ластовкин, К.В. Маремьянин, Ю.Г. Садофьев, К.Е. Спирин. ФТП, 44, 642 (2010). [V.I. Gavrilenko, A.V. Ikonnikov, S.S. Krishtopenko, A.A. Lastovkin, K.V. Maremyanin, Yu.G. Sadofyev, K.E. Spirin. Semiconductors, 44, 616 (2010) --- English version]
  6. В.И. Гавриленко, С.С. Криштопенко, M. Goiran. ФТП, 45, 111 (2011). [V.I. Gavrilenko, S.S. Krishtopenko, M. Goiran. Semiconductors, 45, 110 (2011) --- English version]
  7. С.С. Криштопенко, К.П. Калинин, В.И. Гавриленко, Ю.Г. Садофьев, M. Goiran. ФТП, 46, 1186 (2012). [S.S. Krishtopenko, K.P. Kalinin, V.I. Gavrilenko, Yu.G. Sadofyev, M. Goiran. Semiconductors, 46, 1163 (2012) --- English version]
  8. К.Е. Спирин, К.П. Калинин, С.С. Криштопенко, К.В. Маремьянин, В.И. Гавриленко, Ю.Г. Садофьев. ФТП, 46, 1424 (2012). [K.E. Spirin, K.P. Kalinin, S.S. Krishtopenko, K.V. Maremyanin, V.I. Gavrilenko, Yu.G. Sadofyev. Semiconductors, 46, 1396 (2012) --- English version]
  9. Ю.А. Бычков, Э.И. Рашба. Письма ЖЭТФ 39, 66 (1984). [Yu.A. Bychkov, E.I. Rashba. JETP Lett., 39, 78 (1984) --- English version]
  10. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 23, 385 601 (2011)
  11. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. Sol. St. Phenomena, 190, 554 (2012)
  12. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 24, 135 601 (2012)
  13. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 24, 252 201 (2012)
  14. S.S. Krishtopenko. J. Phys.: Condens. Matter, 25, 105 601 (2013)
  15. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. Phys. Rev. B, 87, 155 113 (2013)
  16. I.G. Savel'ev, A.M. Kreshchuk, S.V. Novikov, A.Y. Shik, G. Remenyi, Gy. Kovacs, B. P\^odor, G. Gombos. J. Phys.: Condens. Matter, 8, 9025 (1996)
  17. B. Kowalski, P. Omling, B.K. Meyer, D.M. Hofmann, V. Harle, F. Scholz, P. Sobkowicz. Semicond. Sci. Technol., 11, 1416 (1996)
  18. S.A. Studenikin, P.T. Coleridge, N. Ahmed, P.J. Poole, A. Sachrajda. Phys. Rev. B, 68, 035 317 (2003)
  19. Th. Schapers, V.A. Guzenko, A. Bringer, M. Akabori, M. Hagedorn, H. Hardtdegen. Semicond. Sci. Technol., 24, 064 001 (2009)
  20. Y.M. Zhou, G. Yu, L.M. Wei, K.H. Gao, W.Z. Zhou, T.A. Lin, L.Y. Shang, S.L. Guo, J.H. Chu, N. Dai, D.G. Austing. J. Appl. Phys., 107, 053 708 (2010)
  21. G. Engels, J. Lange, Th. Schapers, H. Luth. Phys. Rev. B, 55, 1958 (1997)
  22. M.J. Yang, R.J. Wagner, B.V. Shanabrook, J.R. Waterman, W.J. Moore. Phys. Rev. B, 47, 6807 (1993)
  23. M.J. Yang, P.J. Lin-Chung, B.V. Shanabrook, J.R. Waterman, R.J. Wagner, W.J. Moore. Phys. Rev. B, 47, 1691 (1993)
  24. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, Ю.Г. Садофьев, J.P. Bird, S.R. Jonhson, Y.-H. Zhang. ФТП, 39, 71 (2005). [V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, A.V. Ikonnikov, Yu.G. Sadofyev, J.P. Bird, S.R. Jonhson, Y.-H. Zhang. Semiconductors, 39, 62 (2005) --- English version]
  25. Ю.Б. Васильев, F. Gouider, G. Nachtwei, P.D. Buckle. ФТП, 44, 1559 (2010). [Yu.B. Vasilyev, F. Gouider, G. Nachtwei, P.D. Buckle. Semiconductors, 44, 1511 (2010) --- English version]
  26. F. Gouider, Yu.B. Vasilyev, M. Bugar, J. Konemann, P.D. Buckle, G. Nachtwei. Phys. Rev. B, 81, 155 304 (2010)
  27. A. Ikonnikov, S. Krishtopenko, V. Gavrilenko, Yu. Sadofyev, Yu. Vasilyev, M. Orlita, W. Knap. J. Low Temp. Phys., 159, 197 (2010)
  28. S.S. Krishtopenko, A.V. Ikonnikov, K.V. Maremyanin, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, Yu.G. Sadofyev, M. Goiran, M. Sadowsky, Yu.B. Vasilyev. J. Appl. Phys., 111, 093 711 (2012)
  29. C. Wetzel, Al.L. Efros, A. Moll, B.K. Meyer, P. Omling, P. Sobkowicz. Phys. Rev. B, 45, 14 052 (1992)
  30. B.K. Meyer, M. Drechsler, C. Wetzel, H. Linke, P. Omling, V. Harle, F. Scholz. Appl. Phys. Lett., 63, 657 (1993)
  31. C. Wetzel, R. Winkler, M. Drechsler, B.K. Meyer, U. Rossler, J. Scriba, J.P. Kotthaus, V. Harle, F. Scholz. Phys. Rev. B, 53, 1038 (1996)
  32. B.A. Foreman. Phys. Rev. B, 56, 12 748 (1997)
  33. E.G. Novik, A. Pfeuffer-Jeschke, T. Jungwirth, V. Latussek, C.R. Becker, G. Landwehr, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 72, 035 321 (2005)
  34. R. Winkler, Surf. Sci., 361/362, 411 (1996)
  35. E.O. Kane. Proc. of Narrow Gap Semiconductors. Physics and Applications (Nimes, 1979), ed. by W. Zawadzki (Springer-Verlag, N.Y., 1980)
  36. I. Semenikhin, A. Zakharova, K.A. Chao. Phys. Rev. B, 77, 113 307 (2008)
  37. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972). [G.L. Bir, G.E. Pikus. Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Wiley, N.Y., 1974) --- English version]
  38. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001)
  39. L.Y. Shang, G.L. Yu, T. Lin, W.Z. Zhou, S.L. Gou, N. Dai, J.H. Chu. Chinese Phys. Lett., 25, 2194 (2008)
  40. B.A. Andreev, I.V. Erofeeva, V.I. Gavrilenko, A.L. Korotkov, A.N. Yablonskiy, O. Astafiev, Y. Kawano, S. Komiyama. Semicond. Sci. Technol., 16, 300 (2001)
  41. K.E. Spirin, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko, Y. Kawaguchi, S. Komiyama. Semicond. Sci. Technol., 23, 095 014 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme