Представлены результаты исследования спектральных и временных характеристик фотолюминесценции многослойных структур с самоформирующимися Ge(Si) островками, выращенных на кремниевых подложках и подложках "кремний-на-изоляторе", в зависимости от температуры и длины волны возбуждающего излучения. В структурах с Ge(Si) островками, выращенными на кремниевых подложках, обнаружено значительное возрастание интенсивности фотолюминесценции островков при увеличении температуры от 4 до 70 K, связанное с диффузией неравновесных носителей заряда из кремниевой подложки в активный слой с островками. При этом в кинетике нарастания фотолюминесценции островков возникает медленная компонента с характерным временем ~100 нс. В то же время в структурах, выращенных на подложках "кремний-на-изоляторе", в которых активный слой с островками изолирован от кремниевой подложки слоем SiO₂, медленная компонента в кинетике нарастания фотолюминесценции островков отсутствует, и возрастание интенсивности фотолюминесценции с ростом температуры не наблюдается. Установлено, что поглощение возбуждающего излучения в островках и SiGe смачивающих слоях дает основной вклад в возбуждение сигнала фотолюминесценции островков в условиях подзонной оптической накачки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.