Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 29, Санкт-Петербург, Россия
2Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, Halle(Saale), Germany
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, Interdisziplinares Zentrum fur Materialwissenschaften (IZM), Heinrich-Damerow-Str. 4 Halle(Saale)
5Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, Institut fur Physik, Von-Danckelmann-Platz 3, Halle(Saale)
2Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, Halle(Saale), Germany
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, Interdisziplinares Zentrum fur Materialwissenschaften (IZM), Heinrich-Damerow-Str. 4 Halle(Saale)
5Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, Institut fur Physik, Von-Danckelmann-Platz 3, Halle(Saale)
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.
Исследованы спектры продольной фотопроводимости и оптического поглощения, обусловленного внутризонными оптическими переходами дырок в квантовых точках Ge/Si, при различных температурах решетки. Обнаружены поляризационно-зависимые спектральные особенности, связанные с оптическими переходами дырок из основного состояния квантовых точек. Экспериментально наблюдается температурное гашение сигнала фотопроводимости, обусловленное обратным захватом неравновесных свободных дырок на связанные состояния квантовых точек. Полученные экспериментальные данные позволили определить высоту приповерхностного изгиба зон на гетерогранице квантовой точки.
- А.В. Антонов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник и др. Тез. докл. IX Росс. конф. по физике полупроводников " Полупроводники 2009" (Новосибирск, 2009) с. 310
- N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, J. Gerharz, J. Moers, D. Gruetzmacher. Appl. Phys. Lett., 98, 142 101 (2011)
- А.Б. Талочкин, И.Б. Чистохин. ЖЭТФ, 140, 583 (2011)
- T. Tayagaki, N. Usami, W. Pan, Y. Hoshi, K. Ooi, Y. Kanemitsu. Appl. Phys. Lett., 101, 133 905 (2012)
- A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov. Phys. Rev. B, 62, 9939 (2000)
- A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, Y.Y. Proskuryakov. J. Appl. Phys., 89, 5676 (2001)
- Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, В.Ю. Паневин, А.Н. Софронов, А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, A.A. Тонких, P. Werner. ФТП, 46, 1566 (2012)
- A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, V.A. Timofeev, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii. Appl. Phys. Lett., 100, 053 507 (2012)
- A. Tonkikh, N. Zakharov, V. Talalaev, P. Werner. Phys. Status Solidi RRL, 4, 224 (2010)
- A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, A.V. Nenashev, V.A. Volodin. Phys. Rev. B, 73, 115 333 (2001)
- F.J. Morin, J.P. Maita. Phys. Rev., 96, 28 (1954)
- М.С. Аникеева, М.Я. Винниченко, Д.А. Фирсов, Л.Е. Воробьев, А.А. Тонких. Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физ.-мат. науки, 4, 9 (2012).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
