Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование поляризаций нитридных соединений (Al,Ga,AlGa)N и зарядовой плотности различных интерфейсов на их основе

Супрядкина И.А.^1,2, Абгарян К.К.², Бажанов Д.И.^1,2, Мутигуллин И.В.²

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Вычислительный центр им. А.А. Дородницына Федерального исследовательского центра "Информатика и управление" РАН, Москва, Россия Center “Computer Science and Control” of Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Center “Computer Science and Control” of Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 29 октября 2012 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

PDF версия

Представлены результаты теоретического исследования на основе расчетов из первых принципов поляризационных свойств полупроводников AlN, GaN и AlGaN со структурой вюрцита. Для данных нитридных соединений рассчитаны значения спонтанной, пьезоэлектрической поляризаций и пьезоэлектрических констант. В целях дальнейшего рассмотрения перспективных гетероструктур на основе соединений (Al,Ga,AlGa)N были оценены значения зарядовых плотностей на интерфейсах AlN/GaN, AlGaN/AlN, AlGaN/GaN и концентрация носителей на гетерогранице AlGaN/GaN, приведено сравнение с экспериментальными данными.

O. Ambacher. J. Phys. D, 31, 2653 (1988)
F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B, 56, R10 024 (1997)
F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Rev. B, 57, R9427 (1998)
A. Zoroddu, F. Bernardini, P. Ruggerone, V. Fiorentini. Phys. Rev. B, 64, 045 208 (2001)
V. Fiorentini, F. Bernardini, F. Della Sala, A. Di Carlo, P. Lugli. Phys. Rev. B, 60, 8849 (1999)
A. Bykhovski, B.L. Gelmont, M.S. Shur. J. Appl. Phys., 81, 6332 (1997)
P.M. Asbeck, E.T. Yu, S.S. Lau, G.J. Sullivan, J. Van Hove, J.M. Redwing. Electron. Lett., 33, 1230 (1997)
E.T. Yu, G.J. Sullivan, P.M. Asbeck, C.D. Wang, D. Qiao, S.S. Lau. Appl. Phys. Lett., 71, 2794 (1997)
M.B. Nardelli, K. Rapcewicz, J. Bernholc. Appl. Phys. Lett., 71, 3135 (1997)
T. Takeuchi, H. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 36, L177 (1997) pt 2
W. Zhong, R.D. King-Smith, D. Vanderbilt. Phys. Rev. Lett., 72, 3618 (1994)
R.D. King-Smith, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B, 47, 1651 (1993)
R. Resta. Rev. Mod. Phys., 66, 899 (1994)
R. Resta. Ferroelectrics, 136, 51 (1992)
A. Malashevich. Abstract of the dissertation (New Brunswick, New Jersey, The Graduate School-New Brunswick Rutgers, The State University of New Jersey, 2009)
O. Ambacher. J. Phys. D. Appl. Phys., 31, 2653 (1998)
O. Ambacher, J. Smart, J.R. Shealy, N.G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W.J. Schaff, L.F. Eastman. J. Appl. Phys., 85, 3222 (1999)
G. Kresse, J. Furthmuller. Phys. Rev. B, 54, 11 169 (1996)
G. Kresse, D. Joubert. Phys. Rev. B, 59, 1758 (1999)
H.J. Monkhorst, J.D. Pack. Phys. Rev. B, 13, 5188 (1976)
F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B, 63, 193 201 (2001)
M. Tanaka, S. Nakahata, K. Sogabe, H. Nakata. Jpn. J. Appl. Phys., 36, L1062 (1997) pt 2
M. Leszczynski, H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, K. Pakula, J.M. Baranowski, C.T. Foxon, T.S. Chen. Appl. Phys. Lett., 69, 73 (1996)
А. Алексеев, Д. Красовицкий, С. Петров, В. Чалый. Компоненты и технологии, N 2 (2008)
O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tilak, B. Schaff, L.F. Eastman. Condens. Matter, 14 3399 (2002)
F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Rev. B, 64, 085 207 (2001)
A. Zoroddu, F. Bernardini, P. Ruggerone, V. Fiorentini. Phys Rev B, 64, 045 208 (2001)
K. Tsubouchi, K. Sugai, N. Mikoshiba. IEEE Ultrason. Symp., 90, 375 (1981)
O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J.R. Shealy, N.G. Weimann. J. Appl. Phys., 87, 334 (2000)
X. Wang, A. Yoshikawa. Progr. Cryst. Growth and Characterization of Mater. 48/49, 42 (2004)
P.M. Asbeck, E.T. Yu, S.S. Lau, G.J. Sullivan, J. Van Hove. J.M. Redwing. Electron Lett., 33 1230 (1997)
Z. Bougrioua, J.L. Farvacque, I. Moerman, F. Carosella. Phys. Status Solidi B, 228 (2), 625 (2001)
Вл.В. Воеводин, С.А. Жуматий, С.И. Соболев, А.С. Антонов, П.А. Брызгалов, Д.А. Никитенко, К.С. Стефанов, Вад.В. Воеводин. Открытые системы, N 7 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель