Методики исследования электрического контактного сопротивления в структуре металлическая пленка--полупроводник
Российский научный фонд, 20-19-00494
Штерн М.Ю.
1, Караваев И.С.
2, Рогачев М.С.
1, Штерн Ю.И.
1, Мустафоев Б.Р.
1, Корчагин Е.П.
1, Козлов А.О.
11Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2Акционерное общество "Чепецкий механический завод", Глазов, Россия
Email: m.y.shtern@gmail.com, karavaev_ivan@mail.ru, m.s.rogachev88@gmail.com, hptt@miee.ru, mustafoyev1996@bk.ru, eg.ad2013@yandex.ru, alex_kozlov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 19 сентября 2021 г.
В окончательной редакции: 24 сентября 2021 г.
Принята к печати: 24 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.
В термоэлементах электрическое сопротивление контактов существенным образом влияет на их эффективность. В случае высоколегированных термоэлектрических материалов на границе контакта металл-полупроводник преобладает туннельный механизм проводимости, что позволяет получать сопротивление контакта <10-8 Ом·м2. Низкие значения сопротивления существенно усложняют его экспериментальное определение. Представлены три методики и измерительный стенд для исследования контактного сопротивления. Основу методик составляет измерение суммарного электрического сопротивления, состоящего из переходного контактного сопротивления и сопротивления термоэлектрического материала с последующим его исключением. Разработанные методики отличаются расположением исследуемых контактов на образцах термоэлектрических материалов, способами измерений и обработки полученных результатов и позволяют определять удельное контактное сопротивление ~10-10 Ом·м2. Ключевые слова: термоэлементы, пленочные контакты, контактное сопротивление, методики измерений.
- E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metal-Semiconductor Contacts (Oxford, University Press, 1988)
- R.P. Gupta, K. Xiong, J.B. White, K. Cho, H.N. Alshareef, B.E. Gnade. J. Electrochem. Soc., 157 (6), H666 (2010)
- A. Ferrario, S. Battiston, S. Boldrini, T. Sakamoto, E. Miorin, A. Famengo, A. Miozzo, S. Fiameni, T. Iida, M. Fabrizio. Materials Today: Proceedings, 2 (2), 573 (2015)
- M. Shtern, M. Rogachev, Y. Shtern, D. Gromov, A. Kozlov, I. Karavaev. J. Alloys Compd., 852, 156889 (2021)
- G. Joshi, D. Mitchell, J. Ruedin, K. Hoover, R. Guzman, M. McAleer, L. Wood, S. Savoy. J. Mater. Chem. C, 7 (3), 479 (2019)
- W. Liu, H. Wang, L. Wang, X. Wang, G. Joshi, G. Chen, Z. Ren. J. Mater. Chem. A, 1 (42), 13093 (2013)
- T. Sakamoto, Y. Taguchi, T. Kutsuwa, K. Ichimi, S. Kasatani, M. Inada. J. Electron. Mater., 45 (3), 1321 (2016)
- Y. Thimont, Q. Lognone, C. Goupil, F. Gascoin, E. Guilmeau. J. Electron. Mater., 43 (6), 2023 (2014)
- K. Xiong, W. Wang, H.N. Alshareef, R.P. Gupta, J.B. White, B.E. Gnade, K. Cho. J. Phys. D: Appl. Phys., 43 (11), 115303 (2010)
- W. Hanlein. Kaltetechnik, 2, 137 (1960)
- W. Liu, Q. Jie, H.S. Kim, Z. Ren. Acta Mater., 87, 357 (2015)
- S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of Semiconductor Devices (N. Y., Wiley, 2007)
- K.K. Ng, R. Liu. IEEE Trans. Electron Dev., 37, 1535 (1990)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
- V. Kessler, M. Dehnen, R. Chavez, M. Engenhorst, J. Stoetzel, N. Petermann, K. Hesse, T. Huelser, M. Spree, C. Stiewe, P. Ziolkowski, G. Schierning, R. Schmechel. J. Electron. Mater., 43 (5), 1389 (2014)
- D. Qin, W. Zhu, F. Hai, C. Wang, J. Cui, Y. Deng. Adv. Mater. Interfaces, 6 (20), 1900682 (2019)
- X. Zhu, L. Cao, W. Zhu, Y. Deng. Adv. Mater. Interfaces, 5 (23), 1801279 (2018)
- C.C. Yu, H.-j. Wu, M.T. Agne, I.T. Witting, P.-Y. Deng, G.J. Snyder, J.P. Chu. APL Mater., 7 (1), 013001 (2019)
- P.A. Sharma, M. Brumbach, D.P. Adams, J.F. Ihlefeld, A.L. Lima-Sharma, S. Chou, J.D. Sugar, P. Lu, J.R. Michael, D. Ingersoll. AIP Adv., 9 (1), 015125 (2019)
- M.Yu. Shtern, I.S. Karavaev, Y.I. Shtern, A.O. Kozlov, M.S. Rogachev. Semiconductors, 53 (13), 1848 (2019)
- Е.К. Белоногов, В.А. Дыбов, А.В. Костюченко, С.Б. Кущев, Д.В. Сериков, С.А. Солдатенко. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 5, 17 (2019)
- D. Zillmann, D. Metz, B. Matheis, A. Dietzel, A. Waag, E. Peiner. J. Electron. Mater., 48 (9), 5363 (2019)
- А.Т. Бурков, А.И. Федотов, А.А. Касьянов, Р.И. Пантелеев, Т. Накама. Науч.-техн. вестн. информационных технологий, механики и оптики, 15 (2), 173 (2015)
- В.И. Смирнов, Ф.Ю. Матта. Теория конструкций контактов в электронной аппаратуре (М., Сов. радио, 1974)
- R.P. Gupta, J.B. White, O.D. Iyore, U. Chakrabarti, H.N. Alshareef, B.E. Gnade. Electrochem. Solid-State Lett., 12 (8), H302 (2009)
- P.J. Taylor, J.R. Maddux, G. Meissner, R. Venkatasubramanian, G. Bulman, J. Pierce, R. Gupta, J. Bierschenk, C. Caylor, J. D'Angelo. Appl. Phys. Lett., 103 (4), 043902 (2013)
- S.-P. Feng, Y.-H. Chang, J. Yang, B. Poudel, B. Yu, Z. Ren, G. Chen. Phys. Chem. Chem. Phys., 15 (18), 6757 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
