Вышедшие номера
Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке гранта Министерства науки и высшего образования РФ в рамках базовой части государственного задания, №075-03-2020-191/5
Чигинева А.Б.1, Байдусь Н.В.1, Некоркин C.М.1, Жидяев К.С.1, Котомина В.Е.1, Самарцев И.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: chigineva@nifti.unn.ru, bnv@nifti.unn.ru, nekorkin@nifti.unn.ru, zhidyaev@nifti.unn.ru, kotominav@List.ru, samartsev@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 25 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 14 сентября 2021 г.
Принята к печати: 14 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.

Исследовано влияние на блокирующую способность GaAs тиристорных мезаструктур сульфидной пассивации (химической обработки в перекисно-серном травителе и в растворе Na2S в изопропаноле) и усложнения профиля боковой поверхности мез. Показано, что блокирующее напряжение чипов возрастает в несколько раз как после химической обработки поверхности, так и при усложнении топологии поверхности. Ключевые слова: тиристоры, блокирующее напряжение, сульфидная пассивация, арсенид галлия, мезаструктура.