Исследовано влияние ионизирующего облучения на образование зарядов на внутренней SiO₂-Si (подложка) и внешней SiO₂-Si_ps (затвор) межфазных границах (МФГ) и на пробой затвора МОП-транзисторов. Показано, что с увеличением дозы ионизирующего облучения вблизи внутренней межфазной границы в p- МОП-транзисторах наблюдается монотонный рост положительного заряда, а в n- МОП-транзисторах - накопление сначала положительного, а при дозах свыше 10⁵ рад - отрицательного заряда. Вблизи внешней межфазной границы при малых дозах облучения наблюдается накопление положительного заряда, а при дозах > 10⁶ рад - накопление отрицательного заряда как в p-, так и n- МОП-транзисторах. Вплоть до дозы 10⁸ рад ионизирующее облучение не оказывает заметного влияния на напряжение пробоя затвора как в p-, так и в n- МОП-транзисторах при обеих полярностях смещения. Отсутствие влияния объясняется пробоем по механизму анодной дырочной инжекции. Ключевые слова: ионизирующее облучение, МОП-транзистор, накопление заряда, пробой затвора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.