Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Температурная зависимость зонной структуры политипов 3C, 2H, 4H и 6H карбида кремния

Зубкова С.М.¹, Русина Л.Н.¹, Смелянская Е.В.²

¹Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Frantsevich Institute for Problems of Materials Science, National Academy of Sciences of Ukraine, Kiev, Ukraine

Frantsevich Institute for Problems of Materials Science, National Academy of Sciences of Ukraine, Kiev, Ukraine

²Национальный технический университет "Киевский политехнический институт", Киев, Украина

Поступила в редакцию: 22 октября 2001 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом эмпирического псевдопотенциала впервые рассчитаны температурные зависимости актуальных экстремумов энергии в высокосимметричных точках Gamma, X, L, K, M, A, H зоны Бриллюэна кубической и гексагональных модификаций SiC, а также энергий основных межзонных переходов в этих точках. Влияние температурной зависимости электрон-фононного взаимодействия на зонную структуру кристалла учитывалось через факторы Дебая-Валлера, а вклад линейного расширения решетки - через температурную зависимость коэффициента линейного расширения. Подробно анализируются особенности температурных зависимостей энергетических уровней, межзонных и внутризонных переходов. Сравнение с имеющимися экспериментальными данными по исследованию свойств p-n-структур на основе карбида кремния, работающих в режиме электрического пробоя, показало хорошее согласие. Например, температурный коэффициент перехода X_1c-X_3c, определяющего узкую фиолетовую полосу в спектре пробойной электролюминесценции в обратно-смещенных p-n-переходах, оказался существенно меньше температурных коэффициентов межзонных переходов <зона проводимости>-<валентная зона>. Это хорошо согласуется с экспериментальной кривой температурного коэффициента спектрального состава излучения, имеющей минимум в той же спектральной области.

П.А. Иванов, В.Е. Челноков. ФТП, 29, 1921 (1995)
F. Engelbrecht, J. Zeman, G. Wellenhofer, C. Peppermuller, R. Helbig, G. Martinez, U. Rossler. Phys. Rev. B, 56, 7348 (1997)
В.В. Соболев, В.В. Немошкаленко. Электронная структура твердых тел в области фундаментального поглощения (Киев, Наук. думка, 1992) гл. 2, с. 403
Ch. Keffer, T.M. Hayes, A. Bienenstock. Phys. Rev. Lett., 21, 1676 (1968)
Y.W. Tsang, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 3, 1254 (1971)
H.Y. Fan. Phys. Rev., 82, 900 (1951)
C.K. Kim, P. Lautenschlager, M. Cardona. Sol. St. Commun., 59, 797 (1986)
K. Baumann. Phys. St. Sol. (b), 63, K71 (1974)
Y.F. Tsay, B. Gong, S.S. Mitra, J.F. Vetelino. Phys. Rev. B, 6 (6), 2330 (1972)
Y.F. Tsay, S.S. Mitra, J.F. Vetelino. J. Phys. Chem. Sol., 34, 2167 (1973)
D. Auvergne, J. Camassel, H. Mathieu, M. Cardona. Phys. Rev. B, 9, 5168 (1974)
P.B. Allen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 23, 1495 (1981)
P.B. Allen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 27, 4760 (1983)
P. Lautenschlager, P.B. Allen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 31, 2163 (1985)
A. Zywietz, K. Karch, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 54, 1791 (1996)
H.-G. Junginger, W. Haeringen. Phys. St. Sol., 37, 709 (1970)
J.F. Vetelino, S.P. Gour, S.S. Mitra. Phys. Rev. B, 5, 2360 (1972)
P. Kackell, B. Wenzien, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 50, 10 761 (1994)
Physics of group IV elements and III--V compounds of Landolt-Bornstein numerical data and functional relationships in science and technology, New Series, Group III, vol. 17a, ed. by O. Modelung, M. Schultz and H. Weiss (N. Y., Springer, 1982)
M. Rohlung, P. Kruger, J. Pollmann. Phys. Rev. B, 48, 17 791 (1993)
I.N. Remediakis, E. Kaxiras. Phys. Rev. B, 59, 5536 (1999)
C.H. Park, B.-Ho Cheong, K.-Ho Lee, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 49, 4485 (1994)
Y. Fujino, H. Sato, N. Otsuka. B кн.: Materials problem solving with transmission electron microscope, ed. by L.W. Hobbs, K.W. Westmacott, D.B. Williams (Pittsburgh, Materials Research Society, 1986) [MRS Symp. Proc., 62, 349 (1986)]
V.I. Gavrilenko, A.V. Postnikov, N.I. Klyui, V.G. Litovchenko. Phys. St. Sol. B, 162, 477 (1990)
W.J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev., 105, 1721 (1957)
А.М. Генкин, В.Н. Родионов. ФТП, 13, 789 (1979)
М.В. Белоус, А.М. Генкин, В.К. Генкина. ФТП, 33, 727 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель