Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и рентгеновский микроанализ монокристаллов на основе теллурида висмута

Гасенкова И.В.¹, Чубаренко В.А.¹, Тявловская Е.А.¹, Свечникова Т.Е.²

¹Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Республика Белоруссия
²Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия Baikov Institute of Metallurgy and Materials Science, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Baikov Institute of Metallurgy and Materials Science, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 13 августа 2002 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обсуждены экспериментальные данные по распределению и атомарным соотношениям элементов в монокристаллах Bi₂Te_2.94Se_0.06, Bi₂Te_2.88Se_0.12, Bi_1.99Sn_0.01Te_2.94Se_0.06, Bi_1.99Sn_0.01Te_2.88Se_0.12, полученные методами рентгеновского микроанализа и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопией. Установлено, что примесь олова, введенная в концентрации x=0.01, повышает однородность распределения висмута и теллура в твердых растворах, а увеличение концентрации Se с y=0.06 до 0.12 приводит к флуктуации состава от 0.5 ат% в не легированных и до 0.3 ат% в легированных Sn твердых растворах на основе Bi₂Te₃. Определены энергии связи остовных электронов в указанных монокристаллах и обнаружено изменение полной плотности электронных состояний в валентной зоне вблизи уровня Ферми при введении примеси Sn.

И.В. Гасенкова, М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова. ФТТ, 41, 1969 (1999)
М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова. ФТТ, 40, 1428 (1998)
V.A. Kulbachinski, V. Inoue, V. Sasaki, H. Negishi, W.X. Gao, K. Takase, Y. Giman, J. Horak, P. Lostak. Phys. Rev. B, 50, 16 921 (1994)
Г.Т. Алексеева, П.П. Константинов, В.А. Кутасов, Л.Н. Лукьянова, Ю.И. Равич. ФТТ, 38, 2998 (1996)
Т.Е. Свечникова, С.Н. Чижевская, Н.М. Максимова, Н.В. Поликарпова, П.П. Константинов, Г.Т. Алексеева. Неорг. матер., 30 (2), 168 (1994)
Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi₂Te₃ (М., Наука, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель