Вышедшие номера
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и рентгеновский микроанализ монокристаллов на основе теллурида висмута
Гасенкова И.В.1, Чубаренко В.А.1, Тявловская Е.А.1, Свечникова Т.Е.2
1Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Республика Белоруссия
2Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

Обсуждены экспериментальные данные по распределению и атомарным соотношениям элементов в монокристаллах Bi2Te2.94Se0.06, Bi2Te2.88Se0.12, Bi1.99Sn0.01Te2.94Se0.06, Bi1.99Sn0.01Te2.88Se0.12, полученные методами рентгеновского микроанализа и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопией. Установлено, что примесь олова, введенная в концентрации x=0.01, повышает однородность распределения висмута и теллура в твердых растворах, а увеличение концентрации Se с y=0.06 до 0.12 приводит к флуктуации состава от 0.5 ат% в не легированных и до 0.3 ат% в легированных Sn твердых растворах на основе Bi2Te3. Определены энергии связи остовных электронов в указанных монокристаллах и обнаружено изменение полной плотности электронных состояний в валентной зоне вблизи уровня Ферми при введении примеси Sn.