Методом атомно-силовой микроскопии в атмосферных условиях исследовались топографические характеристики сколов структур Ge / Si, содержащих заращенные слои наноостровков GeSi. Показано, что релаксация упругих напряжений островков и прилегающих к ним областей матрицы Si на свободной поверхности скола приводит к проявлению локальных топографических особенностей на сколах структур. Обнаружено, что островки могут проявляться на поверхности скола в виде двух типов топографических особенностей: в виде бугорков, когда плоскость скола непосредственно пересекает островок, упруго сжатый в матрице Si, или в виде ямки, когда плоскость скола пересекает прилегающую к островку область Si-матрицы, подвергнутую растяжению. Выполненные исследования продемонстрировали возможности нового метода изучения заращенных наноостровков в целях их обнаружения, оценки размеров, распределений по размерам, эффектов взаимодействия в многослойных структурах, а также выявления связанных с ними деформаций.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.