Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Визуализация заращенных наноостровков GeSi в кремниевых структурах методом атомно-силовой микроскопии на сколах

Дунаевский М.С.¹, Красильник З.Ф.², Лобанов Д.Н.², Новиков А.В.², Титков А.Н.¹, Laiho R.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

³Wihury laboratory, University of Turku, Turku, Finland

Поступила в редакцию: 21 ноября 2002 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом атомно-силовой микроскопии в атмосферных условиях исследовались топографические характеристики сколов структур Ge / Si, содержащих заращенные слои наноостровков GeSi. Показано, что релаксация упругих напряжений островков и прилегающих к ним областей матрицы Si на свободной поверхности скола приводит к проявлению локальных топографических особенностей на сколах структур. Обнаружено, что островки могут проявляться на поверхности скола в виде двух типов топографических особенностей: в виде бугорков, когда плоскость скола непосредственно пересекает островок, упруго сжатый в матрице Si, или в виде ямки, когда плоскость скола пересекает прилегающую к островку область Si-матрицы, подвергнутую растяжению. Выполненные исследования продемонстрировали возможности нового метода изучения заращенных наноостровков в целях их обнаружения, оценки размеров, распределений по размерам, эффектов взаимодействия в многослойных структурах, а также выявления связанных с ними деформаций.

D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (N. Y., 1998)
Scanning Tunneling Microscopy I: General Principles and Applications to Clean and Adsorbate--Covered Surfaces, Springer Ser. Surf. Sci. 20, ed. by H.-J. Guntherodt, R. Wiesendanger (Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, 1992)
Scanning Tunneling Microscopy II: Further Applications and Related Scanning Techniques, Springer Ser. Surf. Sci. 28, ed. H.-J. Guntherodt, R. Wiesendanger (Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, 1992)
W. Wu, J.R. Tucher, G.S. Solomon, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 71, 1083 (1997)
B. Legrand, B. Grandidier, J.P. Nys, D. Stivenard, J.M. Gerard, V. Thierry-Mieg. Appl. Phys. Lett., 73, 96 (1998)
H. Eisele, O. Flebbe, T. Kalka, M. Dahne-Prietsch. Surf. Interface Anal., 27, 537 (1999)
B. Legrand, J.P. Nys, B. Grandidier, D. Stivenard, A. Lemaitre, J.M. Gerard, V. Thierry-Mieg. Appl. Phys. Lett., 74, 2608 (1999)
G. Abstreiter, P. Schittenhelm, C. Engel, E. Silveira, A. Zrenner, D. Meertens, W. Jager. Semicond. Sci. Technol., 11, 1521 (1996)
Н.В. Востоков, С.А. Гусев, И.В. Долгов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, Л.Д. Молдавская, А.В. Новиков, В.В. Постников, Д.О. Филатов. ФТП, 34, 8 (2000)
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, Yu.Yu. Proskuryakov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. Appl. Phys. Lett. 75, 1413 (1999)
Z.F. Krasil'nik, P. Lytvin, D.N. Lobanov, N. Mestres, A.V. Novikov, J. Pascual, M.Ya. Valakh, V.A. Yukhymchuk. Nanotechnology, 13, 81 (2002)
J. Tersoff, C. Teichert, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 76, 1675 (1996)
A.A. Maradudin, R.F. Wallis. Surf. Sci., 91, 423 (1980)
O. Kienzle, F. Ernst, M. Ruhle, O.G. Schmidt, K. Eberl. Appl. Phys. Lett., 74, 269 (1999)
P. Sutter, E. Matveeva, J.S. Sullivan, M.G. Lagally. Thin Sol. Films, 336, 262 (1998)
C.J. Huang, D.Z. Li, B.W. Cheng, J.Z. Yu, Q.M. Wang. Appl. Phys. Lett., 77, 2852 (2000)
O.G. Schmidt, U. Denker, S. Christiansen, F. Ernst. Appl. Phys. Lett., 81, 2614 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель