Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Нулевые аномалии транспортных характеристик однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs как проявление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами и подавление резонансного туннелирования в магнитном поле как проявление кулоновской щели в туннельной плотности состояний

Ханин Ю.Н.¹, Дубровский Ю.В.¹, Вдовин Е.Е.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 9 октября 2002 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В результате изучения туннельного транспорта электронов через однобарьерные гетероструктуры GaAs/AlAs/GaAs показано, что причиной "нулевых аномалий" - экстремумов в дифференциальной проводимости вблизи нулевого напряжения - в исследованных структурах является резонансное туннелирование между параллельными двумерными электронными газами в обогащенных слоях, образовавшихся по обе стороны барьеров из-за наличия в барьерах донорных примесей Si. Обнаружено подавление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами в узких интервалах вблизи нулевого напряжения (туннельная щель) в сильном магнитном поле, параллельном направлению тока, когда в каждом из двумерных электронных газов заполнен только один уровень Ландау. Подавление обусловлено кулоновской щелью на уровне Ферми в туннельной плотности состояний. Этот эксперимент впервые обнаружил проявление кулоновской щели при туннелировании между параллельными двумерными электронными газами с относительно низкими подвижностями, в которых влияние беспорядка или случайных флуктуаций потенциала на механизм формирования туннельной щели может оказаться заметным.

Е.Л. Вольф. Принципы электронной туннельной спектроскопии (Киев, Наук. думка, 1990)
J.M. Rowell, L.Y.L. Shen. Phys. Rev. Lett., 17, 15 (1966)
R.N. Hall, J.H. Racette, H. Ehrereich. Phys. Rev. Lett., 4, 456 (1960)
R.T. Collins, J. Lambe, T.C. McGrill. R.D. Burnham. Appl. Phys. Lett., 44, 532 (1984)
K. Hirakava. Phys. Rev. B, 40, 3451 (1989)
A.L. Efros, B.I. Shklovskii. Electron--Electron Interactions in Dicordered Systems (Elsevier, Amsterdam, 1985) p. 109
B.L. Altshuler, A.G. Aronov, K.W. Lee. Phys. Rev. Lett., 44, 1288 (1980)
J.P. Eisenshtein, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Phys. Rev. Lett., 69, 3804 (1992)
Song He, P.M. Platzman, B.I. Halperin. Phys. Rev. Lett., 71, 777 (1993)
P. Johannson, J.M. Kinaret. Phys. Rev. Lett., 71, 1435 (1993); Phys. Rev. B, 50, 4671 (1994)
N. Turner, J.T. Nicholls, E.H. Linfield, K.M. Brown, G.A. Jones, D.A. Ritchie. Phys. Rev. B, 54, 10 614 (1996)
E. Bockenhoff, K. von-Klitzing, K. Ploog. Phys. Rev. B, 38, 10 120 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель