Вышедшие номера
Нулевые аномалии транспортных характеристик однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs как проявление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами и подавление резонансного туннелирования в магнитном поле как проявление кулоновской щели в туннельной плотности состояний
Ханин Ю.Н.1, Дубровский Ю.В.1, Вдовин Е.Е.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 9 октября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

В результате изучения туннельного транспорта электронов через однобарьерные гетероструктуры GaAs/AlAs/GaAs показано, что причиной "нулевых аномалий" - экстремумов в дифференциальной проводимости вблизи нулевого напряжения - в исследованных структурах является резонансное туннелирование между параллельными двумерными электронными газами в обогащенных слоях, образовавшихся по обе стороны барьеров из-за наличия в барьерах донорных примесей Si. Обнаружено подавление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами в узких интервалах вблизи нулевого напряжения (туннельная щель) в сильном магнитном поле, параллельном направлению тока, когда в каждом из двумерных электронных газов заполнен только один уровень Ландау. Подавление обусловлено кулоновской щелью на уровне Ферми в туннельной плотности состояний. Этот эксперимент впервые обнаружил проявление кулоновской щели при туннелировании между параллельными двумерными электронными газами с относительно низкими подвижностями, в которых влияние беспорядка или случайных флуктуаций потенциала на механизм формирования туннельной щели может оказаться заметным.