Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние имплантации ионов P на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2
Качурин Г.А.1, Яновская С.Г.1, Тетельбаум Д.И.2, Михайлов А.Н.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.
Изучено влияние имплантации 1013-1016 см-2 ионов P и последующего отжига при 600-1100oC на фотолюминесценцию нанокристаллов Si, заранее сформированных в слоях SiO2. Сразу после имплантации дозы 1013 см-2 наблюдается гашение полосы 780 нм, излучаемой нанокристаллами. Восстановление эмиссии частично нарушенных нанокристаллов заметно уже с 600oC, но после превышения дозы аморфизации необходимы отжиги 1000-1100oC. После отжигов обнаружены усиление люминесценции при имплантации малых доз P и ее ускоренное восстановление, когда концентрация P превышает ~0.1 ат%. Первый эффект объясняется ударной кристаллизацией нановыделений, второй - ускорением кристаллизации примесью. Последнее наряду с дозовой зависимостью послеотжиговой люминесценции рассматривается как свидетельство попадания атомов P в нанокристаллы Si. Вопреки ряду оценок введение P не приводит к гашению люминесценции из-за оже-рекомбинации. Расхождения объясняются взаимодействием носителей с ядрами доноров.
- Y. Kanzawa, M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. Sol St. Commun., 100, 227 (1996)
- M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Appl. Phys., 83, 7953 (1998)
- M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi, K. Yamamoto. Appl. Phys. Lett., 75, 184 (1999)
- M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi, K. Yamamoto, C. Urakawa, H. Ohta. J. Appl. Phys., 87, 1855 (2000)
- A. Mimura, M. Fujii, S. Hayashi, D. Kovalev, F. Koch. Phys. Rev. B, 62, 12 625 (2000)
- L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Giorgio. J. Appl. Phys., 87, 3829 (2000)
- Д.И. Тетельбаум, И.А. Карпович, М.В. Степихова, В.Г. Шенгуров, К.А. Марков, О.Н. Горшков. Поверхность, N 5, 31 (1998)
- M. Lannoo, C. Delerue, G. Allan. J. Luminesc., 70, 170 (1996)
- Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Ruault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. ФТП, 34, 1004 (2000)
- M. Klimenkov, W. Matz, S.A. Nepijko, M. Lehman. Nucl. Instr. Meth. B, 179, 209 (2001)
- D.K. Yu, R.Q. Zhang, S.T. Lee. Phys. Rev. B, 65, 245 417 (2002)
- H. Kohno, T. Iwasaki, Y. Mita, S. Takeda. J. Appl. Phys., 91, 3232 (2002)
- Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, В.А. Володин, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, M.-O. Ruault. ФТП, 36, 685 (2002)
- L. Czepregi, E.F. Kennedy, T.J. Gallaher, J.W. Mayer, T.W. Sigmon. J. Appl. Phys., 48, 4234 (1977)
- D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, S.A. Trushin, D.G. Revin, D.M. Gaponova, W. Eckstein. Nanotechnology, 11, 295 (2000)
- D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, V.A. Burdov, A.I. Golovanov, D.G. Revin, D.M. Gaponova. Nucl. Instr. Meth. B, 174, 123 (2001)
- Г.А. Качурин, М.-О. Рюо, С.Г. Яновская, К.С. Журавлев, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, О. Кайтасов, Г. Бернас, Л.М. Логвинский. В сб.: Взаимодействие ионов с поверхностью (М., 1999) т. 2, с. 69
- R. Tsu. Appl. Phys. A, 71, 391 (2000)
- H.J. von Bardeleben, C. Ortega, A. Grosman, V. Morazzani, J. Siejka, D. Stievenard. L. Luminesc., 57, 301 (1993)
- G. Mauckner, W. Rebitzer, K. Thonke, R. Sauer. Sol. St. Commun., 91, 717 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
