Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Инжекционный ИК лазер (lambda=2.775 мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb / InAs / CdMgSe, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 14 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.
Впервые продемонстрирована лазерная генерация в среднем ИК диапазоне при инжекционной накачке (длина волны lambda=2.775 мкм, пороговая плотность тока Jth=3-4 кА / см2 при 77 K) двойной гибридной гетероструктуры p-AlGaAsSb / n0-InAs / n-CdMgSe, выращенной методом двухстадийной молекулярно-пучковой эпитаксии и характеризующейся экстремально высокими асимметричными потенциальными барьерами (~ 1.5 эВ) для электронов и дырок в InAs активной области. Выходная мощность спонтанного излучения при 300 K составила не менее 0.3 мВт для светодиодов с круглой мезой.
- U.P. Schliessl, J. Rohr. Infr. Phys. Techn. 40, 325 (1999)
- D. Hofstetter, M. Beck, T. Aellen, J. Faist, U. Oesterle, M. Ilegems, E. Gini, H. Melchior. Appl. Phys. Lett., 78, 1964 (2001); S. Slivken, Z. Huang, A. Evans, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 80, 4091 (2002)
- C. Gmachl, A.M Sergent, A. Tredicucci, F. Capasso, A.L. Hutchinson, D.L. Sivco, J.N. Baillargeon, S.N.G. Chu, A.Y. Cho. IEEE Photon. Technol. Lett., 11, 1369 (1999)
- W.W. Bewley, H. Lee, I. Vurgaftman, R.J. Menna, C.L. Felix, R.U. Martinelly, D.W. Stokes, D.Z. Garbuzov, J.R. Meyer, M. Maiorov, J.C. Connolly, A.R. Sugg, G.H. Olsen. Appl. Phys. Lett., 76, 256 (2000)
- R.Q. Yang, J.L. Bradshaw, J.D. Bruno, J.T. Pham, D.E. Wortman, R.L. Tober. Appl. Phys. Lett., 81, 397 (2002)
- G.G Zegrya, M.P. Mikhailova, T.N. Danilova, A.N. Imenkov, K.D. Moiseev, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. Semicond., 33, 97 (1999)
- S.V. Ivanov, K.D. Moiseev, A.M. Monakhov, I.V. Sedova, V.A. Solov'ev, M.P. Mikhailova, Ya.V. Terentyev, B.Ya Meltzer, A.A. Toropov, Yu.P. Yakovlev, P.S. Kop'ev. Proc. 8th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 2000) p. 109
- P. Grabs, G. Richter, R. Fiederling, C.R. Becker, W. Ossau, G. Schmidt, L.W. Molenkamp, W. Weigand, E. Umbach, I.V. Sedova, S.V. Ivanov. Appl. Phys. Lett., 80, 3766 (2002)
- А.Г. Аронов, Г.Е. Пикус. ФТП, 10, 1177 (1976)
- R. Fiederling, M. Keim, G. Reuscher, W. Ossau, G. Schmidt, A. Waag, L.W. Molenkamp. Nature (London), 402, 787 (1999)
- N. Samarth, H. Luo, J.K. Furdyna, S.B. Qadri, Y.R. Lee, A.K. Ramdas, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 54, 2680 (1989)
- В.А. Соловьев, И.В. Седова, А.А. Торопов, Я.В. Терентьев, С.В. Сорокин, Б.Я. Мельцер, С.В. Иванов, П.С. Копьев. ФТП, 35 (4), 431 (2001).
- S.V. Ivanov, V.A. Solov'ev, K.D. Moiseev, I.V. Sedova, Ya.V. Terentyev, A.A. Toropov, B.Ya. Meltzer, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev, P.S. Kop'ev. Appl. Phys. Lett., 78 (12), 1655 (2001)
- S. Ivanov, S. Sorokin, K. Moiseev, V Solov'ev, V. Kaygorodov, Ya. Terent'ev, B. Meltzer, A. Semenov, M. Mikhailova, Yu. Yakovlev, P. Kop'ev. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 692, H8.8.1-6 (2002)
- V.A. Kaygorodov, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, O.V. Nekrutkina, T.V. Shubina, A.A. Toropov, S.V. Ivanov. Phys. St. Sol. (b), 229, 19 (2002)
- Yu.P. Yakovlev, S.V. Ivanov, K.D. Moiseev, A.M. Monakhov, V.A. Solov'ev, I.V. Sedova, Ya.V. Terent'ev, A.A. Toropov, M.P. Mikhailova, B.Ya. Meltzer, P.S. Kop'ev. Proc. SPIE, 4651, 203 (2002).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
