Вышедшие номера
Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, 2019-1442
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Приоритет 2030
Блохин С.А. 1, Бабичев А.В. 2, Карачинский Л.Я. 2, Новиков И.И. 2, Блохин А.А. 1, Бобров М.А. 1, Кузьменков А.Г. 1, Малеев Н.А. 1, Андрюшкин В.В. 2, Бугров В.Е. 2, Гладышев А.Г. 3, Денисов Д.В. 4, Воропаев К.О.5, Жумаева И.О.5, Устинов В.М. 6, Li H.7, Tian S.С.8,9, Han S.Y.8,9, Сапунов Г.А.8,9, Егоров А.Ю. 3,10, Bimberg D.8,9
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия
6Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7College of Mathematical and Physical Sciences, Qingdao University of Science and Technology, Qingdao, China
8Bimberg Chinese-German Center for Green Photonics, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics
9Center of Nanophotonics, Institute of Solid State Physics, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
10Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: blokh@mail.ioffe.ru, a.babichev@mail.ioffe.ru, leonid.karachinsky@connector-optics.com, Innokenty.Novikov@connector-optics.com, bloalex91@yandex.ru, bobrov.mikh@gmail.com, kuzmenkov@mail.ioffe.ru, Maleev@beam.ioffe.ru, vvandriushkin@itmo.ru, vladislav.bougrov@niuitmo.ru, andrey.gladyshev@connector-optics.com, dmitry.denisov@connector-optics.com, voropaevko@okbplaneta.ru, ZhumaevaIO@okbplaneta.ru, vmust@beam.ioffe.ru, lilinlu88@163.com, tiansicong@ciomp.ac.cn, hansaiyi@163.com, sapunovgeorgiy@gmail.com, anton@beam.ioffe.ru, bimberg@physik.tu-berlin.de
Поступила в редакцию: 17 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 16 июня 2022 г.
Принята к печати: 16 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 17 июля 2022 г.

Представлены результаты комплексных исследований статических и динамических характеристик вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1550 нм, созданных по технологии спекания пластины оптического резонатора InAlGaAs/InP с пластинами распределенных отражателей AlGaAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Лазеры с диаметром мезы заращенного туннельного перехода менее 7 мкм продемонстрировали одномодовую лазерную генерацию с фактором подавления боковых мод более 40 дБ, однако при размерах мезы менее 5 мкм наблюдается резкое увеличение порогового тока, обусловленное возникновением насыщающегося поглотителя из-за проникновения поля фундаментальной моды в непрокачиваемые области активной области. Максимальные выходная оптическая мощность в одномодовом режиме генерации и эффективная частота модуляции по уровню спада сигнала на -3 дБ достигали значений 4.5 мВт и 8 ГГц соответственно при 20oС. Максимальная скорость передачи данных при 20oC в режиме прямой токовой модуляции при кодировании по амплитудному формату без возвращения к нулю составила 23 Гбит/с для короткой линии связи на основе одномодового волокна SMF-28. По мере увеличения протяженности оптической линии связи до 2000 м предельная скорость передачи данных падала и составляла 18 Гб/с. Выявлены и обсуждаются основные факторы, влияющие на быстродействие и дальность передачи данных, и предложены дальнейшие пути их преодоления. Ключевые слова: вертикально-излучающий лазер, спекание пластин, молекулярно-пучковая эпитаксия, одномодовый режим, быстродействие.