Вышедшие номера
Энергия миграции вакансий в кристаллах кремния p-типа
Пагава Т.А.1, Башелейшвили З.В.1
1Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 25 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

Образцы p-Si, легированные бором, облучались электронами с энергией 8 МэВ. Энергии активации отжига K-центров и комплексов (V+B), определенные по кривым изохронного отжига этих дефектов, равняются ~ 0.915 и 1.6 эВ соответственно. Вдоль локально облученных кристаллов измерялось распределение объемной фотоэдс. По проведенным оценкам энергия миграции положительно заряженных вакансий EV++M~ 0.6 эВ, а нейтральных - EV0M~ 0.345 эВ.