Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в подрешетки А и В арсенида галлия

Бобровникова И.А.¹, Вилисова М.Д.², Ивонин И.В.², Лаврентьева Л.Г.², Преображенский В.В.³, Путято М.А.³, Семягин Б.Р.³, Субач С.В.¹, Торопов С.Е.²

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

³Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 5 декабря 2002 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние концeнтрации легирующей примеси и кристаллографической ориентации поверхности роста на захват кремния в подрешетки А и В при молекулярно-лучевой эпитаксии арсенида галлия. Слои арсенида галлия выращивались на подложках GaAs ориентаций (100), 2^o(100), 4^o(100), 8^o(100) при температуре 520^oC и на подложках ориентаций (111)А, 2^o(111)A, 5^o(111)A, 6^o(111)A, 8^o(111)A при температуре 480^oC. Концентрация кремния варьировалась в пределах 10¹⁷-10¹⁹ cм^-3. С помощью электрофизических и фотолюминесцентных методов исследований обнаружено, что примесь кремния присутствует в слоях GaAs в узлах обеих подрешеток как в элементарном виде (Si_Ga, Si_As), так и в виде комплексов типа Si_Ga-Si_As, Si_Ga-V_Ga и Si_As-V_As. Концентрация Si в различных формах зависит от уровня легирования слоев и ориентации поверхности роста. Амфотерные свойства кремния проявляются на грани (111)А сильнее, чем на грани (100). Показано, что формирование примесных дефектов происходит на стадии кристаллизации слоя и определяется структурой ростовой поверхности.

Y. Okano, H. Seto, H. Katahama et al. Jap. J. Appl. Phys., 28, L151 (1989)
F. Piazza, L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Semicond. Sci. Technol., 7, 1504 (1992)
A. Chin, P. Martin, P. He et al. Appl. Phys. Lett., 59, 1899 (1991)
W.I. Wang, E.E. Mendez, T.S. Kuan, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 47, 826 (1985)
Г.Б. Галиев, В.Г. Мокеров, Э.Р. Ляпин, В.В. Сарайкин, Ю.В. Хабаров. ФТП, 35 (4), 421 (2001)
L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Appl. Phys. Lett., 66 (21), 2846 (1995)
T. Ohachi, J.M. Feng, K. Asai et al. Microelectronics J., 30, 471 (1999)
В.Г. Мокеров, Г.Б. Галиев, Ю.В. Слепнев, Ю.В. Хабаров. ФТП, 32 (11), 1320 (1998)
I.A. Bobrovnikova, L.G. Lavrentieva, M.P. Rusaikin, M.D. Vilisova. J. Cryst. Growth, 123, 529 (1992)
И.А. Бобровникова, Л.Г. Лаврентьева, С.Е. Торопов. ФТП, 20 (9), 1701 (1986)
К.Д. Глинчук, К. Лукат, А.В. Прохорович. В кн.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, под ред. С.В. Свечникова (Киев, Наук. думка, 1982) вып. 1, с. 39
К.С. Журавлев, Д.И. Лубышев, В.П. Мигаль, Б.Р. Семягин, Т.С. Шамирзаев. Тез. докл. 8-й Всес. конф. по росту кристаллов (Харьков, 1992) т. 1, с. 218
Nguen Hong Ky, F.K. Reinhart. J. Appl. Phys., 83 (2), 718 (1998)
E.W. Williams. Phys. Rew., 168, 922 (1968)
Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 30, 1123 (1996)
Y. Imura, D. Yui, M. Kawabe. Extended abstracts of the 18^th Int. Conf. on Solid State Deviсes and Materials (Tokyo, 1986) p. 623
Л.Г. Лаврентьева, И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова. Изв. вузов. Материалы электрон. техники, N 4, 35 (1998)
А.Е. Куницын, В.В. Чалдышев, С.П. Вуль, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 33 (10), 1187 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель