Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2003, выпуск 9 » Статья стр. 1104
<<<>>>
Оптические и структурные свойства твердых растворов InGaAsP, полученных способом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs(001) в области несмешиваемости
Вавилова Л.С.1, Винокуров Д.А.1, Капитонов В.А.1, Мурашова А.В.1, Неведомский В.Н.1, Полетаев Н.К.1, Ситникова А.А.1, Тарасов И.С.1, Шамахов В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
PDF версия
Исследованы оптические и структурные своqства твердых растворов InGaAsP, выращенных при температуре 600oC на подложках GaAs(001) способом МОС-гидридной эпитаксии. Слои твердых растворов InGaAsP, соответствующих по составу области несмешиваемости, содержат в спектрах фотолюминесценции две полосы: основную и дополнительную. Установлено, что обе полосы обусловлены межзонными излучательными переходами, т. е. внутри слоя находятся два твердых раствора с разными составами и запрещенными зонами. Показано, что смещение максимума дополнительной полосы в сторону высоких энергий при увеличении уровня возбуждения вызвано квантовыми размерами доменов соответствующего состава. Данный вывод согласуется с результатами просвечивающей электронной микроскопии, изучение изображений таких образцов обнаружило в них наличие периодической структуры, состоящей из чередующихся доменов с разным составом твердого раствора. Чередование доменов распространяется вдоль направлений [100] и [010] с характерным периодом 10 нм.
  1. S. Mukai, J. Appl. Phys., 54, 2635 (1983)
  2. E. Kuphal. J. Cryst. Growth, 67, 441 (1984)
  3. O. Ueda, S. Isozumi, S. Komiya. Jap. J. Appl. Phys., 23, L241 (1984)
  4. A.G. Norman, G.R. Booker. J. Appl. Phys., 57, 4715 (1985)
  5. Н.А. Берт, Л.С. Вавилова, И.П. Ипатова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, А.А. Ситникова, И.С. Тарасов, В.А. Щукин. ФТП, 33, 544 (1999)
  6. Л.С. Вавилова, В.А. Капитонов, Д.А. Лившиц, А.В. Лютецкий, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, И.С. Тарасов. ФТП, 34, 325 (2000)
  7. Л.С. Вавилова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, И.С. Тарасов. ФТП, 34, 1307 (2000)
  8. В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, А.В. Мурашова, А.А. Ситникова, И.С. Тарасов. 18-я Росс. конф. по электронной микроскопии ЭМ'2000 (Черноголовка, Россия, 2000) с. 60.
  9. A. Knauer, G. Erbert, S. Gramlich, A. Oster, E. Richter, U. Zeimer, M. Weyers. J. Electron. Mater., 24, 1655 (1995)
  10. S. Mukai, M. Matsuzaki, J. Shimada. Jap. J. Appl. Phys., 19, L505 (1980)
  11. Д.З. Гарбузов, В.В. Агаев, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин, В.П. Чалый. ФТП, 18, 1069 (1984)
  12. Д.З. Гарбузов, В.П. Чалый, А.Е. Свелокузов, В.Б. Халфин, А.Л. Тер-Мартиросян. ФТП, 22, 657 (1988)
  13. V.P. Varshni. Phys. Status Solidi, 19, 459 (1967)
  14. V.P. Varshni. Phys. Status Solidi, 20, 9 (1967)
  15. Д.З. Гарбузов, В.Б. Халфин. Препринт N 652 ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1980
  16. Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976) с. 61
  17. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 49
  18. B. DeCremoux, P. Hirth, J. Ricciardi. Inst. Phys. Conf. Ser., 56, 115 (1981)
  19. G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 58, 194 (1982)
  20. K. Onabe. Jap. J. Appl. Phys., 21, 797, L323 (1982)
  21. И.П. Ипатова, В.Г. Малышкин, А.Ю. Маслов, В.А. Щукин. ФТП, 27, 285 (1993)
  22. V.A. Shchukin, A.N. Starodubtsev. Extended abstracts 26th Int. Symp. on compound semiconductors (Berlin, Germany, 1999), abstract WeP-5

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme