Метаморфные модулированно-легированные гетероструктуры InAlAs / InGaAs / InAlAs с высокой подвижностью электронов на подложках GaAs
Семенова Е.С.1, Жуков А.Е.1, Васильев А.П.1, Михрин С.С.1, Ковш А.Р.1, Устинов В.М.1, Мусихин Ю.Г.1, Блохин С.А.1, Гладышев А.Г.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs созданы метаморфные модулированно-легированные гетероструктуры в системе материалов InGaAs / InAlAs. Проведена оптимизация условий выращивания градиентного буферного слоя при низкой температуре осаждения, позволяющая резко снизить количество структурных дефектов в рабочих слоях структуры. Подвижность электронов в двумерном канале метаморфных структур, выращенных в оптимизированных условиях, (8100 см2/В·с при 300 K) значительно превосходит значения, достижимые в напряженных гетероструктурах InGaAs / AlGaAs на подложках GaAs.
- L.D. Nguyen, L.E. Larson, U.K. Mishra. Proc. IEEE, 80, 494 (1992)
- W.E. Hoke, P.J. Lemonias, J.J. Mosca. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (3), 1131 (1999)
- M. Zaknoune, B. Bonte, C. Gaquiere. IEEE Electron. Dev. Lett., 19 (9), 345 (1998)
- G. Wang, Y. Chen, W.J. Scha. IEEE Trans. Electron. Dev., 35 (7), 818 (1988)
- M. Behet, K. Van der Zanden, G. Borghs. Appl. Phys. Lett., 73, 2760 (1998)
- T. Mishima, K. Higuchi, M. Mori. J. Cryst. Growth, 150, 1230 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
