Приводится обзор литературы по модифицированию свойств твердых растворов HgCdTe и родственных им ртутьсодержащих материалов при обработке поверхности пучками ионов низких энергий (60-2000 эВ). Проведен анализ условий возникновения эффекта инверсии типа проводимости в p-материале, дозовой и временной зависимости глубины залегания инвертированного слоя. Рассмотрено также изменение электрофизических свойств материала n-типа проводимости при воздействии на поверхность пучком ионов. Рассмотрены предложенные к настоящему времени механизмы инверсии типа проводимости при низкоэнергетичной ионной обработке HgCdTe, как вакансионно-легированного, так и легированного акцепторными примесями. Дан обзор свойств p-n-переходов, созданных данным методом, а также проанализированы электрические и фотоэлектрические параметры фотоприемников инфракрасного излучения на основе HgCdTe, созданных низкоэнергетичной ионной обработкой. Рассмотрены примеры оригинальных приборных структур, созданных данным методом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.