Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2003, выпуск 10 » Статья стр. 1153
>>>
Модифицирование свойств Hg1-xCdxTe низкоэнергетичными ионами О б з о р
Мынбаев К.Д.1, Иванов-Омский В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.
PDF версия
Приводится обзор литературы по модифицированию свойств твердых растворов HgCdTe и родственных им ртутьсодержащих материалов при обработке поверхности пучками ионов низких энергий (60-2000 эВ). Проведен анализ условий возникновения эффекта инверсии типа проводимости в p-материале, дозовой и временной зависимости глубины залегания инвертированного слоя. Рассмотрено также изменение электрофизических свойств материала n-типа проводимости при воздействии на поверхность пучком ионов. Рассмотрены предложенные к настоящему времени механизмы инверсии типа проводимости при низкоэнергетичной ионной обработке HgCdTe, как вакансионно-легированного, так и легированного акцепторными примесями. Дан обзор свойств p-n-переходов, созданных данным методом, а также проанализированы электрические и фотоэлектрические параметры фотоприемников инфракрасного излучения на основе HgCdTe, созданных низкоэнергетичной ионной обработкой. Рассмотрены примеры оригинальных приборных структур, созданных данным методом.
  1. J. Piotrowski, A. Rogalski. Sensors Actuators, A67, 146 (1998)
  2. M.A. Kinch. J. Electron. Mater., 29, 809 (2000)
  3. A. Rogalski. Infr. Phys. Technol., 43, 187 (2002)
  4. S. Krishna, A.D. Stiff-Roberts, J.D. Phillips, P. Bhattacharya, S.W. Kennerly. IEEE LEOS Newsletter, 16 (1), 19 (2002)
  5. A. Rogalski. Infr. Phys. Technol., 40, 279 (1999)
  6. Н.С. Барышев. Свойства и применение узкозонных полупроводников (Казань, УНИПРЕСС, 2000)
  7. K. Fisher, N. Rappenau. US Pat 4.128.467 (1978)
  8. R.B. Withers. US Pat 4.301.591 (1981)
  9. M.V. Blackman, M.D. Jenner. US Pat 4.321.615 (1982)
  10. М.С. Никитин, К.П. Павлов. Матер. VI Всес. симп. Полупроводники с узкой запрещенной зоной и их применение" (Львов, 1983) с. 136
  11. U. Solzbach, H.J. Richter. Surf. Sci., 97 (1), 191 (1980)
  12. J.L. Elkind. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1460 (1992)
  13. J.T.M. Wotherspoon. US Pat 4.411.732 (1983)
  14. I.M. Baker. US Pat 4.521.798 (1985)
  15. M.V. Blackman, D.E. Charlton, M.D. Jenner, D.R. Purdy, J.T.M. Wotherspoon, C.T. Elliott, A.M. White. Electron. Lett., 23, 978 (1987)
  16. P. Brogowski, H. Mucha, J. Piotrowski. Phys. St. Sol. (a), 114, K37 (1989)
  17. G. Bahir, E. Finkman. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 348 (1989)
  18. V.I. Ivanov-Omskii, K.E. Mironov, K.D. Mynbaev. Semicond. Sci. Technol., 8, 634 (1993)
  19. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, В.А. Смирнов, В.И. Иванов-Омский. Письма ЖТФ, 28 (22), 64 (2002)
  20. E. Belas, P. Hoshl, R. Grill, J. Franc, P. Moravec, K. Lischka, H. Sitter, A. Toth. Semicond. Sci. Technol., 8, 1695 (1993)
  21. R. Haakenaasen, T. Colin, H. Steen, L. Trosdahl-Iversen. J. Electron. Mater., 29, 849 (2000)
  22. R. Haakenaasen, T. Moen, T. Colin, H. Steen, L. Trosdahl-Iversen. J. Appl. Phys., 91, 427 (2002)
  23. I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, K.R. Kurbanov, B.B. Prytuljak. Proc. SPIE, 3725, 291 (1999)
  24. S. Rolland, R. Granger, R. Triboulet. J. Cryst. Growth, 117, 208 (1992)
  25. В.И. Иванов-Омский, К.Е. Миронов, К.Д. Мынбаев. ФТП, 24, 2222 (1990)
  26. E. Belas, J. Franc, A. Toth, P. Moravec, R. Grill, H. Sitter, P. Hoschl. Semicond. Sci. Technol., 11, 1116 (1996)
  27. В.В. Богобоящий, А.П. Власов, С.А. Дворецкий, И.И. Ижнин, Д.Ю. Протасов, Л.Н. Ромашко, Ю.Г. Сидоров. Тез. докл. 2-го Российско-Украинского сем. Нанофизика и наноэлектроника" (Киев, 2000) с. 63
  28. А.В. Двуреченский, В.Г. Ремесник, И.А. Рязанцев, Н.Х. Талипов. ФТП, 27, 168 (1993)
  29. J.F. Siliquini, J.M. Dell, C.A. Musca, L. Faraone. Appl. Phys. Lett., 70, 3443 (1997)
  30. V.G. Savitsky, L.G. Mansurov, I.M. Fodchuk, I.I. Izhnin, I. Virt, M. Lozynska, A.V. Evdokimenko. Proc. SPIE, 3725, 299 (1999)
  31. J.F. Siliquini, J.M. Dell, C.A. Musca, L. Faraone, J. Piotrowski. J. Cryst. Growth, 184/185, 1219 (1998)
  32. M.H. Rais, C.A. Musca, J. Antoszewski, J.M. Dell. B.D. Nener, L. Faraone. J. Cryst. Growth, 214/215, 1106 (2000)
  33. J.M. Dell, C.A. Musca, L. Faraone, B.D. Nener, M.H. Rais, J. Antoszewski. Microelectron. J., 31 (7), 545 (2000)
  34. P. Brogowski, J. Rutkowski, J. Piotrowski, H. Mucha. Electron. Technology, 24 (3/4), 93 (1991)
  35. Э. Белас, Я. Франц, Р. Гриль, А. Тот, П. Хешл, Х. Ситтер, П. Моравец, К. Лишка. Неорг. матер., 32, 949 (1996)
  36. J. Antoszewski, C.A. Musca, J.M. Dell, L. Faraone. J. Electron. Mater., 29, 837 (2000)
  37. T. Nguen, J. Antoszewski, C.A. Musca, D.A. Redfern, J.M. Dell, L. Faraone. J. Electron. Mater., 31, 652 (2002)
  38. E.P.G. Smith, J.F. Siliquini, C.A. Musca, J. Antoszewski, J.M. Dell, L. Faraone, J. Piotrowski. J. Appl. Phys., 83, 5555 (1998)
  39. В.В. Богобоящий, А.П. Власов, И.И. Ижнин. Изв. вузов. Физика, 44 (1), 50 (2001)
  40. N.N. Berchenko, V.V. Bogoboyashchiy, I.I. Izhnin, A.P. Vlasov. Phys. St. Sol. (b), 229, 279 (2002)
  41. N.N. Berchenko, V.V. Bogoboyashchiy, I.I. Izhnin, Yu.S. Ilyina, A.P. Vlasov. Surf. Coat. Technol., 158--159, 732 (2002)
  42. I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, K.R. Kurbanov, B.B. Prytuljak. Proc. SPIE, 3182, 383 (1997)
  43. E. Belas, P. Hoschl, R. Grill, J. Franc, P. Moravec, K. Lischka, H. Sitter, A. Toth. J. Cryst. Growth, 138, 940 (1994)
  44. E. Belas, R. Grill, J. Franc, A. Toth, P. Hoschl, H. Sitter, P. Moravec. J. Cryst. Growth, 159, 1117 (1996)
  45. E. Belas, R. Grill, J. Franc, P. Moravec, R. Vorghova, P. Hoschl, H. Sitter, A.L. Toth. J. Cryst. Growth, 224, 52 (2001)
  46. E. Belas, R. Grill, J. Franc, H. Sitter, P. Moravec, P. Hoschl, A.L. Toth. J. Electron. Mater., 31, 738 (2002)
  47. J.M. White, R. Pal, J.M. Dell, C.A. Musca, J. Antoszewski, L. Faraone, P. Burke. J. Electron. Mater., 30, 762 (2001)
  48. D. Shaw, P. Capper. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 11 (2), 169 (2000)
  49. H.F. Schaake, J.H. Tregilgas, J.D. Beck, M.A. Kinch, B.E. Gnade. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 143 (1985)
  50. В.В. Богобоящий, И.И. Ижнин. Изв. вузов. Физика, 43 (8), 16 (2000)
  51. В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский, В.П. Петренко, В.А. Петряков. ФТП, 19, 819 (1985)
  52. В.В. Богобоящий, И.И. Ижнин. Тез. докл. XVII Межд. научно-технической конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2002) с. 164
  53. I.M. Baker, C.D. Maxey. J. Electron. Mater., 30, 682 (2001)
  54. M.P. Hastings, C.D. Maxey, B.E. Matthews, N.E. Metcalfe, P. Capper, C.L. Jones, I.G. Gale. J. Cryst. Growth, 138, 917 (1994)
  55. R. Haakenaasen, H. Steen, T. Lorentzen, L. Trosdahl-Iversen, A.D. Van Rheenen, H. Syversen. J. Electron. Mater., 31, 710 (2002)
  56. N.N. Berchenko, V.V. Bogoboyashchiy, I.I. Izhnin, K.R. Kurbanov, A.P. Vlasov, V.A. Yudenkov. Abstracts Int. Conf. on Solid State Crystals (Zakopane, 2002) p. 197
  57. I.M. Baker, M.P. Hastings, L.G. Hipwood, C.L. Jones, P. Knowles. III-Vs Review, 9 (2), 50 (1996)
  58. C.T. Elliott, N.T. Gordon, R.S. Hall, G. Crimes. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1251 (1990)
  59. Н.Л. Баженов, С.И. Гасанов, В.И. Иванов-Омский, К.Е. Миронов, К.Д. Мынбаев. ФТП, 25, 2196 (1991)
  60. R.E. DeWames, G.M. Williams, J.G. Pasko, A.H.B. Vandervyck. J. Cryst. Growth, 86, 849 (1988)
  61. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  62. R.E. DeWames, J.G. Pasko, E.S. Yao, A.H.B. Vandervyck, G.M. Williams. J. Vac. Sci. Technol. A, 6, 2655 (1988)
  63. G. Bahir, V. Garber, D. Resenfeld. Appl. Phys. Lett., 78, 1331 (2001)
  64. J.M. Dell, J. Antoszewski, M.H. Rais, C. Musca, J.K. White, B.D. Nener, L. Faraone. J. Electron. Mater., 29, 841 (2000)
  65. J.K. White, J. Antoszewski, R. Pal, J.M. Dell, L. Faraone, J. Piotrowski. J. Electron. Mater., 31, 743 (2002)
  66. C. Musca, J. Antoszewski, J. Dell, L. Faraone, J. Piotrowski, Z. Nowak. J. Electron. Mater., 27, 740 (1998)
  67. J. Piotrowski, Z. Nowak, J. Antoszewski, J. Dell, L. Faraone, C. Musca. Semicond. Sci. Technol., 13, 1209 (1998)
  68. E.P.G. Smith, K.J. Winchester, C.A. Musca, J.M. Dell, L. Faraone. Semicond. Sci. Technol., 16, 444 (2001)
  69. G. Bahir, V. Garber, A. Dust. J. Electron. Mater., 30 (6), 704 (2001)
  70. O.P. Agnihotri, H.C. Lee, K. Yang. Semicond. Sci. Technol., 17, R11 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme