Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотолюминесценция аморфного углерода, выращенного лазерной абляцией графита

Ястребов С.Г.¹, Иванов-Омский В.И.¹, Рихтер А.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Университет прикладных исследований, Вильдау, Берлин, ФРГ

Поступила в редакцию: 11 февраля 2003 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Измерены спектры фотовозбуждения и фотолюминесценции (1-7 эВ) пленок аморфного углерода, выращенного методом лазерной абляции графитовой мишени. Из анализа экспериментальных данных, проведенного с использованием правила сумм, определена зависимость эффективной плотности состояний электронов от энергии. Выявлены характерные пороговые энергии в спектре эффективной плотности состояний при ~1.4 и ~4 эВ и сделан вывод о неоднородном распределении плотности состояний по энергиям, которая приписана различию вкладов sigma- и pi-состояний электронов. Оценена температура возбуждаемой излучением электронной системы, которая оказывается в ~40 раз больше решеточной. Это обстоятельство связывается с эффектами разогрева электронов светом.

J. Robertson, E.P. O'Reilly. Phys. Rev. B, 35, 2946 (1987)
J. Robertson. Phys. Rev. B, 53, 16 302 (1996)
A. Richter. J. Non-Cryst. Sol., 88, 131 (1986)
A. Richter. Opt. Lasers Techn., 24, 215 (1992)
B. Schultrich. Adv. Eng. Mater., 2, 419 (2000)
A.C. Ferrari, A. Libassi, B.K. Tanner, V. Stolojan, J. Yuan, L.M. Brown, S.E. Rodil, B. Kleinsorge, J. Robertson. Phys. Rev. B, 62, 11 089 (2000)
В.С. Вавилов, А.А. Гиппиус, Е.А. Конорова. Электронные и оптические процессы в алмазе (М., Наука, 1985)
A. Einstein. Phys. Zs., 18, 121 (1917)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель