Вышедшие номера
Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы и проблемы реализации
Наумова О.В.1, Антонова И.В.1, Попов В.П.1, Настаушев Ю.В.1, Гаврилова Т.А.1, Литвин Л.В.1, Aсеeв А.Л.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 8 января 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

Рассмотрены основные проблемы, возникающие при изготовлении наноразмерных транзисторов. Апробированы альтернативные классическому МОП-транзистору конструкции полевых транзисторов на структурах кремний-на-изоляторе с различной конфигурацией затвора. Показано, что наиболее перспективными являются конструкции многоканальных транзисторов на однородно легированных слоях кремния-на-изоляторе с трехмерным затвором, которые позволяют решить как проблему смыкания областей обеднения стока-истока (в классических МОП-транзисторах), так и проблему малой плотности тока в конструкциях с одним каналом.