Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы и проблемы реализации
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 8 января 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.
Рассмотрены основные проблемы, возникающие при изготовлении наноразмерных транзисторов. Апробированы альтернативные классическому МОП-транзистору конструкции полевых транзисторов на структурах кремний-на-изоляторе с различной конфигурацией затвора. Показано, что наиболее перспективными являются конструкции многоканальных транзисторов на однородно легированных слоях кремния-на-изоляторе с трехмерным затвором, которые позволяют решить как проблему смыкания областей обеднения стока-истока (в классических МОП-транзисторах), так и проблему малой плотности тока в конструкциях с одним каналом.
- S. Cristoloveanu, S.Li Sheng. Electrical characterisation of silicon-on-insulator materials and devices (Kluwer Academic Publishers, Boston--Dordrecht--London, 1995)
- B. Doyle, R. Arghavani, D. Barlage, S. Datta, M. Doczy, J. Kavalieros, A. Murthy, R. Chau. Intel Technical J., 06, 42 (2002)
- K.K. Likharev. Proc. IEEE, 87, 606 (1999)
- V.P. Popov, I.V. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, A.K. Gutakovskii, E.V. Spesivtsev, A.S. Mardezhov, A.A. Franzusov, G.N. Feofanov. Mater. Sci. Eng., B73, 82--86 (2000)
- Y.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M. Kachanova, L. Nenasheva, A. Kolosanov, O.V. Naumova, V.P. Popov, A.L. Aseev. Mater. Sci. Eng., C19, 189 (2002)
- R. Dennard, F. Gaensslen, L. Kuhn, H. Yu. Abstracts IEEE Int. Electron Dev. Meeting (1972)
- Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов (М., Техносфера, 2002) с. 416
- M.G. Peters, S.G. den Hartog, J.I. Dijkhuis, O.J.A. Buyk, L.W. Molenkamp. J. Appl. Phys., 84, 5052 (1998)
- H. Kawaura, T. Sakamoto, T. Baba. Ext. Abstracts Int. Conf. Solid State Devices and Materials, 20 (1999)
- N. Matsuo, J. Yamauchi, Y. Kitagawa, H. Hamada, T. Miura, T. Miyoshi. Jap. J. Appl. Phys., 39, 3850 (2000)
- N. Ishikuro, N. Fujii, T. Saraya, T. Hiramoto, T. Ikoma. Appl. Phys. Lett., 68, 3585 (1996)
- L. Zhuang, L. Guo, S.Y. Chou. Appl. Phys. Lett., 72,1205 (1998)
- K. Yano, T. Ishii, T. Sano, T. Mine, F. Murai, T. Kure, K. Seki. Abstracts Int. Electron Dev. Meeting (San Francisco, CA, 1998)
- O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, N.V. Sapognikova, Yu.V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, A.L. Aseev. Microelectronic Eng., 66, 442 (2003)
- H. Ishikuro, T. Hiramoto. Appl. Phys. Lett., 74, 1226 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
