Вышедшие номера
Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения
Медведева Н.И.1, Юрьева Э.И.1, Ивановский А.Л.1
1Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 20 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Полнопотенциальным методом линейных muffin-tin-орбиталей исследованы особенности электронной структуры и когезионные свойства кубического карбида кремния, легированного примесями переходных 3d-металлов ( M= Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), замещающих узлы C- или Si-подрешетки матрицы. Установлено, что все 3d-примеси локализуются преимущественно в позициях кремния. При замещении Ti-> Si примесные уровни попадают в область зоны проводимости SiC, введение остальных 3d-примесей приводит к созданию дополнительных уровней донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне карбида кремния. Изучено влияние примеси на параметр решетки 3C-SiC (замещения M-> Si) и величины локальных магнитных моментов примесей (замещения M->Si, C).