Дефектная люминесценция пленок GaN : Zn, отожженных в высокочастотной плазме аммиака
Сукач Г.А.1, Кидалов В.В.2, Власенко А.И.1, Потапенко Е.П.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Бердянский государственный педагогический институт, Бердянск, Украина
Поступила в редакцию: 15 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.
Проведены исследования влияния отжига в радикалах азота, полученных путем обработки аммиака в высокочастотном разряде, на люминесцентные свойства пленок GaN : Zn, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии на сапфировых подложках (0001). По мере повышения температуры отжига наблюдалось монотонное уменьшение фиолетовой (2.88 эВ) и близкраевой (3.48 эВ) полос фотолюминесценции. В результате отжига в радикалах азота при температурах 500-750oC обнаружены новые полосы с энергиями максимумов 3.27 и 3.42 эВ, интенсивность которых увеличивалась с ростом температуры отжига. Проведен критический анализ механизмов образования и природы всех полос. Установлено, что полосы люминесценции 2.88, 3.42 и 3.27 эВ характерны для пленок GaN, полученных с помощью практически всех технологий, и связаны с простыми дефектами структуры. Экспериментально доказано участие кислорода в формировании полосы 3.42 эВ.
- S. Nakamura, M. Senoh, T. Mukai. Jap. J. Appl. Phys., 31, L139 (1992)
- J.C. Zolper, M. Hagerott, J. Grawtord, A.J. Howard, J. Ramer, S.D. Hersee. Appl. Phys. Lett., 68, 200 (1996)
- А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, У.А. Аминов, М.О. Воробьев, И.И. Ходос. ФТП, 35, 149 (2001)
- Т.В. Бутхузи, А.Н. Георгобиани, Е. Заде-Улы, Б.Т. Эльтазарова, Т.Г. Хулордава. Тр. ФИАН, 182, 140 (1987)
- Г.А. Сукач, В.В. Кидалов, А.И. Власенко, М.Б. Котляревский, Е.П. Потапенко. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 37, 91 (2002)
- Г.А. Сукач, Н.И. Сыпко, В.М. Гладаревский. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 14, 58 (1988)
- У. Кайзер, А.Н. Грузинцев, И.И. Ходос, В. Рихтер. Неорг. матер., 6, 458 (2000)
- H. Amono, I. Akasaki, T. Kozawa, N. Sawaki, K. Ikeda. J. Luminesc., 4, 121 (1988)
- С.В. Свечнiков, П.Ф. Олексенко, Г.О. Сукач, П.С. Смертенко, С.I. Власкiна, О.В. Бушма, А.Б. Богословська. УФЖ, 43, 1290 (1998)
- В.Ю. Некрасов, Л.В. Беляков, О.М. Сресели, Н.Н. Зиновьев. ФТП, 33, 1428 (1999)
- C.H. Hong, D. Pavidis, S.W. Brown. J. Appl. Phys., 74, 1705 (1995)
- G. Grimmeiss, B. Monemar. J. Appl. Phys., 41, 4054 (1970)
- R. Dingle, M. Ilegems. Sol. St. Commun., 9, 175 (1971)
- O. Langstrem, B. Monemar. J. Appl. Phys., 45, 2266 (1974)
- M. Ilegems, R. Dingle. J. Appl. Phys., 44, 4234 (1973)
- W. Gotz, N.M. Jonson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, W. Imler. Appl. Phys. Lett., 68, 2666 (1996)
- S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992)
- S. Fischer, C. Wetzel, W.L. Hansen, E.D. Bourret-Courchesns. Appl. Phys. Lett., 69, 2716 (1996)
- P.G. Middleton, K.P. O'Donnell, C. Trager-Cowan, D. Cole, M. Cazzanelli, J. Lunney. Mater. Sci. Eng., B59, 133 (1999)
- K.P. O'Donnell, M. Umlauf, M. Kraushaar, H. Kalt, O. Briot. Mater. Sci. Eng., B50, 264 (1997)
- G.B. Ren, D.J. Devsnip, D.E. Lacklison, J.W. Orton, T.S. Cheng, C.T. Foxon. Mater. Sci. Eng., B43, 242 (1997)
- T.F. Huang, A. Marshall, S. Spruytte, J.S. Harris, Jr. J. Cryst. Growth., 200, 362 (1999)
- B.C. Chung, M. Gershenzon. J. Appl. Phys. 72, 651 (1992)
- Ф.Ф. Греков, Д.М. Демидов, А.М. Зыков. ЖПХ, 52, 1394 (1979)
- С.Е. Александров, Т.А. Гаврикова, А.М. Зыков. ФТП, 34, 297 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
