Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Флуктуации заряда на границе сращивания в структурах кремний-на-изоляторе

Антонова И.В.¹, Стучинский В.А.¹, Наумова О.В.¹, Николаев Д.В.¹, Попов В.П.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 10 февраля 2003 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

PDF версия

Исходя из данных емкостной спектроскопии глубоких уровней в работе проведена оценка флуктуаций заряда на границе <отсеченный слой кремния>-<скрытый диэлектрик> в структурах кремний-на-изоляторе. Граница создана сращиванием кремния с термически окисленной подложкой. Определена величина флуктуаций заряда на границе, равная или превышающая значение (1.5-2.0)· 10¹¹ см^-2 на фоне заряда ~ 5· 10¹¹ см^-2 на данной границе. Показано, что флуктуации связаны скорее всего с отрицательным зарядом на поверхностных состояниях, а не с флуктуациями фиксированного положительного заряда в окисле.

С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Bell Syst. Techn. J., 46, 1055 (1967)
Полукристаллические полупроводники, под ред. Г. Харбеке (М., Мир, 1989)
M.K. Weldon, Y.J. Chabal, D.R. Hamann, S.B. Christman, E.E. Chaban, L.C. Feldman. J. Vac. Sci. Technol., B14, 3095 (1996)
M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
K. Sakaguchi, N. Sato, K. Yamagata, T. Atoji, Y. Fujiyama, J. Nakayama, T. Yonehara. IEEE Trans. Electron., E80-C, 378 (1997)
И.В. Антонова, Й. Стано, Д.В. Николаев, О.В. Наумова, В.П. Попов, В.А. Скуратов. ФТП, 36, 65 (2002)
I.V. Antonova, O.V. Naumova, J. Stano, D.V. Nikolaev, V.P. Popov, V.A. Skuratov. Appl. Phys. Lett., 79, 4539 (2001)
I.V. Antonova, J. Stano, O. Naumova, D.V. Nikolaev, V.P. Popov, V.A. Skuratov. Proc. Int. Conf. on Ion Implantation Technology (2000) p. 273
O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, N.V. Sapognikova, Yu.V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, A.L. Aseev. Microelectronic Eng. (в печати)
J.W. Farmer, C.D. Lamp, J.M. Meese. Appl. Phys. Lett., 41, 1064 (1982)
K. Hofmann, M. Schulz. J. Electrochem. Soc., 132, 2201 (1985)
S. Cristoloveanu, S.S. Li. Electrical characterization of silicon-on-insulator materials and devices (Kluwer Academic Publishers, Boston-Dordrecht-London, 1995)
V.P. Popov, I.V. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, A.K. Gutakovskii, E.V. Spesivtsev, A.A. Franzusov, A.S. Mardegov, G. Feofanov. Mater. Sci. Eng., B73, 82 (2000)
I.V. Antonova, V.P. Popov, J. Bak-Misiuk, J.Z. Domagala. J. Electrochem. Soc., 149, G490-G493 (2002)
W. Schroter, V. Kveder, H. Hedemann. Sol. St. Phenomena, 82-84, 213 (2002)
I.V. Antonova, O.V. Naumova, V.P. Popov, J. Stano, V.A. Skuratov. J. Appl. Phys., 93, 426 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель