Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Экстремальная дозовая зависимость концентрации парамагнитных центров, обусловленных оборванными связями в Si, при ионном облучении, как свидетельство наноструктурирования
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 28 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.
Подробно исследованы зависимости от дозы концентрации парамагнитных центров с g=2.0055 при облучении кремния ионами Ge+, Ar+ и Ne+. Показано, что во всех случаях зависимости характеризуются (ранее не замеченным) наличием максимумов при дозах, соответствующих переходу к полной аморфизации. Эта особенность объяснена на основе модели, предполагающей дополнительный вклад в электронный парамагнитный резонанс от оборванных связей, расположенных на границе раздела нанокристаллов с аморфной матрицей.
- Аморфные полупроводники, под ред. М. Бродски (М., Мир, 1982) с. 419. [Пер. с англ.: Amorphous semiconductors, ed. by M.H. Brodsky (Berlin--Heldelberg--N. Y., Springer Verlag, 1979)]
- Н.Н. Герасименко, А.В. Двуреченский, Л.С. Смирнов. ФТП, 6 (6), 1111 (1972)
- Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977) с. 256
- С.А. Трушин, А.Н. Михайлов, А.А. Ежевский, М.Ю. Лебедев, С.Е. Акис, А.Х. Мухаматуллин, Д.Г. Ревин, Д.М. Гапонова. Вестн. НГГУ. Сер. Физика твердого тела, 2 (5), 37 (2001)
- D.I. Tetelbaum, A.A. Ezhevskii, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, A.Yu. Azov, A.K. Mukhamatullin, S.E. Akis, D.M. Gaponova. Mater. Sci. Eng. B (2003). (Принято к печати)
- Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупровoдников (М., Энергия, 1975)
- Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация (М., Наука, 1983). [Пер. с англ.: H. Ryssel, I. Ruge. Ionen implantation, ed. by B.G. Teubner (Stuttgard, 1978) p. 304]
- Дж.Ф. Гиббонс. Тр. ин-та инженеров по электротехнике и радиоэлектронике, 60 (9), 53 (1972)
- Д.И. Тетельбаум, В.Г. Шенгуров, Д.В. Шенгуров, Е.А. Питиримова, А.В. Питиримов. Поверхность, 5, 34 (1988)
- Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин, А.В. Питиримов. Изв. РАН. Сер. физ., 64 (11), 2168 (2000)
- А.В. Питиримов, Е.А. Питиримова, Д.И. Тетельбаум, В.Г. Шенгуров, А.Ф. Хохлов. Поверхность, 5--6, 11 (1999)
- D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, Z.F. Krasil'nik, D.M. Gaponova, A.N. Mikhailov. Opt. Mater., 17 (1--2), 57 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
