Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование структурного совершенства эпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe / CdZnTe методом комбинационного рассеяния света

Белогорохов А.И.¹, Денисов И.А.¹, Смирнова Н.А.¹, Белогорохова Л.И.¹

¹ГНЦ РФ "Гиредмет", Москва, Россия

Поступила в редакцию: 21 апреля 2003 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Подробно обсуждаются результаты исследований профиля распределения и характера изменения интенсивности решеточных колебаний, инициированных структурными дефектами различной природы, по глубине слоя в эпитаксиальных структурах Cd_xHg_1-xTe / CdZnTe. Экспериментальные результаты получены с помощью метода комбинационного рассеяния света в микрорежиме по сколу образца, сделанному перпендикулярно грани [111] непосредственно перед проведением измерений. Особое внимание уделяется вопросу о возможности получения информации о присутствии структурных дефектов в катионной подрешетке и преципитатов теллура в эпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-xTe.

M.S. Kwon, J.Y. Lee. J. Cryst. Growth, 191, 51 (1998)
N.V. Sochinskii, M.D. Serrano, E. Dieguez, F. Agullo-Rueda, U. Pal, J. Piqueras, P. Fernandez. J. Appl. Phys., 77, 2806 (1995)
Травление полупроводников, пер. с англ. под ред. С.Н. Горина (М., Мир, 1965)
S.H. Shin, J. Bajaj, L.A. Moudy, D.T. Cheung. Appl. Phys. Lett., 43, 68 (1983)
А.И. Белогорохов, В.М. Лакеенков, Л.И. Белогорохова. ФТП, 35, 808 (2001)
J. Zhu, X. Zhang, B. Li, J. Chu. Infr. Phys. Technol., 40, 411 (1999)
I. Hill. J. Appl. Phys., 67, 4270 (1990)
Shyama Rath, K.P. Jain, S.C. Abbi, C. Julien, M. Balkanski. Phys. Rev. B, 52, 17 172 (1995)
D.N. Talwar, M. Vandevyver. J. Appl. Phys., 56, 1801 (1984)
P.M. Amirtharaj, N.K. Dhar, J. Baars, H. Seelewind. Semicond. Sci. Technol., 5, S68 (1990)
P.M. Amirtharaj, K.K. Tiong, P. Parayanthal, F.H. Pollack. J. Vac. Sci. Technol. A, 1 1744 (1983)
W. Richter, J.B. Renucci, M. Cardona. Phys. St. Sol. B, 56, 223 (1973)
R.D. Yadava, R.K. Bagai, W.N. Borle. J. Electron. Mater., 21, 1001 (1992)
A. Polian, R. Le Toullec, M. Balkanski. Phys. Rev. B, 13, 3558 (1976)
S.C. Shen, J.H. Chu. Sol. St. Commun., 48, 1017 (1983)
A. Ksendzov, F.H. Pollak, P.M. Amirtharaj, J.A. Wilson. Semicond. Sci. Technol., 5, S78 (1990)
K.K. Tiong, P.M. Amirtharaj, P. Parayanthal, F.H. Pollaсk. Sol. St. Commun., 50, 891 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель