Методами фотоэмиссионной спектроскопии исследовалась адсорбция сольватированных различными амфипротонными растворителями (вода, спирты) гидросульфид-ионов HS^- на свободную от окислов поверхность GaAs(100). Адсорбция проводилась из растворов сульфида аммония в инертной атмосфере, не содержащей кислорода. Было показано, что химический сдвиг компоненты, обусловленной формирующимися связями As-S относительно объемной As-Ga составляющей фотоэлектронного спектра возрастает с уменьшением диэлектрической проницаемости используемого растворителя, свидетельствуя о возрастании степени ионности связей As-S. Энергия ионизации полупроводника после адсорбции также зависит от растворителя, из которого производилась адсорбция, причем эта зависимость сохраняется и после отжига поверхности и исчезновения связей As-S, что указывает на влияние растворителя на атомную структуру поверхности. Установлено, что растворитель, сольватируя ион, модифицирует его химические свойства и реакционную способность, что приводит к изменению механизма взаимодействия ионов с поверхностными атомами полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.