Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2004, выпуск 2 » Статья стр. 156
<<<>>>
Адсорбция сольватированных гидросульфид-ионов на поверхность GaAs(100): роль растворителя при модификации структуры поверхности
Лебедев М.В.1, Mayer Th.2, Jaegermann W.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2TU-Darmstadt, FB Material- und Geowissenschaften, FG Oberflachenforschung, Darmstadt, Germany
Поступила в редакцию: 2 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
PDF версия
Методами фотоэмиссионной спектроскопии исследовалась адсорбция сольватированных различными амфипротонными растворителями (вода, спирты) гидросульфид-ионов HS- на свободную от окислов поверхность GaAs(100). Адсорбция проводилась из растворов сульфида аммония в инертной атмосфере, не содержащей кислорода. Было показано, что химический сдвиг компоненты, обусловленной формирующимися связями As-S относительно объемной As-Ga составляющей фотоэлектронного спектра возрастает с уменьшением диэлектрической проницаемости используемого растворителя, свидетельствуя о возрастании степени ионности связей As-S. Энергия ионизации полупроводника после адсорбции также зависит от растворителя, из которого производилась адсорбция, причем эта зависимость сохраняется и после отжига поверхности и исчезновения связей As-S, что указывает на влияние растворителя на атомную структуру поверхности. Установлено, что растворитель, сольватируя ион, модифицирует его химические свойства и реакционную способность, что приводит к изменению механизма взаимодействия ионов с поверхностными атомами полупроводника.
  1. F. Seker, K. Meeker, T.F. Kuech, A.B. Ellis. Chem. Rev., 100, 2505 (2000)
  2. J. Tomasi, M. Persico. Chem. Rev., 94, 2027 (1994)
  3. V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, D.R.T. Zahn. J. Appl. Phys., 82, 2640 (1997)
  4. C. Huh, S.-W. Kim, H.-S. Kim, I.-H. Lee, S.-J. Park. J. Appl. Phys., 87, 4591 (2000)
  5. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев, D.R.T. Zahn. ФТП, 33, 429 (1999)
  6. M. Kemerink, J.V. Gerritsen, P.M. Koenrad, H. Van Kempen, J.H. Wolter. Appl. Phys. Lett., 75, 3656 (1999)
  7. V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, Yu.M. Shernyakov, B.V. Tsarenkov. Mater. Sci. Engin. B, 44, 380 (1997)
  8. R. Hakimi, M.-C. Amann. Semicond. Sci. Technol., 12, 778 (1997)
  9. K. Akita, M. Taneya, Y. Sugimoto, H. Hidaka. J. Electrochem. Soc., 137, 2081 (1990)
  10. J. Cioslowski, M. Martinov. J. Chem. Phys., 103, 4967 (1995)
  11. M. Beerbom, O. Henrion, A. Klein, Th. Mayer, W. Jaegermann. Electrochim. Acta, 45, 4663 (2000)
  12. I.M. Vitomirov, A.D. Raisanen, A.E. Finnefrock, R.E. Viturro, L.E. Brillson, P.D. Kirchner, G.D. Pettit, J.M. Woodall. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1898 (1992)
  13. T. Ishikawa, H. Ikoma. Jap. J. Appl. Phys., 31, 3981 (1992)
  14. G. Hollinger, R. Skheyta-Kabbani, M. Gendry. Phys. Rev. B, 49, 11 159 (1994)
  15. C.C. Surdu-Bob, S.O. Saied, J.L. Sullivan. Appl. Surf. Sci., 183, 126 (2001)
  16. M.-G. Kang, H.-H. Park. J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 88 (1999)
  17. P.K. Larsen, J.F. van der Veen, A. Mazur, J. Pollmann, J.H. Neave, B.A. Joyce. Phys. Rev. B, 26, 3222 (1982)
  18. T.-C. Chiang, J.A. Knapp, M. Aono, D.E. Eastman. Phys. Rev. B, 21, 3513 (1980)
  19. M.V. Lebedev, M. Aono. J. Appl. Phys., 87, 289 (2000)
  20. C.J. Spindt, M. Yamada, P.L. Meissner, K.E. Miyano, T. Kendelewicz, A. Herrera--Gomez, W.E. Spicer, A.J. Arko. Phys. Rev. B, 45, 11 108 (1992)
  21. Z. Liu, Y. Sun, F. Machuca, P. Pianetta, W.E. Spicer, R.F.W. Pease. J. Vac. Sci. Technol. A, 21, 212 (2003)
  22. J.J. Yeh, I. Lindau. At. Data Nucl. Data Tables, 32, 1 (1985)
  23. X.-A. Cao, H.-T. Hu, X.-M. Ding, Z.-L. Yuan, Y. Dong, X.-Y. Chen, B. Lai, X.-Y. Hou. J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 2656 (1998)
  24. V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, A.F. Ivankov, W. Bauhofer, D.R.T. Zahn. Appl. Surf. Sci., 133, 17 (1998)
  25. W. Monch, Semiconductor Surfaces and Interfaces, 2nd ed. (Springer, Berlin, 1995)
  26. J.-F. Fan, H. Oigawa, Y. Nannichi. Jap. J. Appl. Phys., 27, L1331 (1988)
  27. S. Licht, F. Forouzan, K. Longo. Anal. Chem., 62, 1356 (1990)
  28. N. Gayathri, S. Izvekov, G.A. Voth. J. Chem. Phys., 117, 872 (2002)
  29. M.V. Lebedev. J. Phys. Chem. B, 105, 5427 (2001)
  30. М.В. Лебедев. ФТП, 35, 1347 (2001)
  31. V.I. Minkin, O.A. Osipov, Yu.A. Zhdanov. Dipole Moments in Organic Chemistry (N. Y., Plenum Press, 1970)
  32. V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, E.B. Novikov, B.V. Tsarenkov. J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 10 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme