Экспериментальное исследование p-i-n-диодов на основе SiC в 3-сантиметровом диапазоне
Василевский К.В.1, Гамулецкая П.Б.2, Кириллов А.В.2, Лебедев А.А.1, Романов Л.П.2, Смирнов В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
Приведены результаты экспериментальных исследований p-i-n-диодов на основе SiC в конструкции переключателя 3-сантиметрового диапазона на базе волноводно-щелевой линии. Получены значения потерь запирания переключателя 18.5-23 дБ при токе управления 100 мА. Приведена сравнительная оценка последовательного сопротивления на частоте 10 ГГц и дифференциального сопротивления на низких частотах p-i-n-диодов на основе Si и SiC.
- А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП, 33 (9), 1096 (1999)
- K. Vasilevski, K. Zekentes, G. Constantinidis, A. Strel'chuk. Sol. St. Electron., 44 (7), 1173 (2000)
- Г.Б. Дзехцер, О.С. Орлов. P--I--N-диоды в широкополосных устройствах (М., Сов. радио, 1970)
- СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет, под ред. Н.В. Мольского, Б.В. Сестрорецкого (М., Сов. радио, 1969)
- В.А. Вайсблат. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах (М., Радио и связь, 1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
