Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкотемпературная релаксация упругих напряжений в SiGe / Si-гетероструктурах, облученных ионами Ge⁺

Аврутин В.С.¹, Агафонов Ю.А.¹, Вяткин А.Ф.¹, Зиненко В.И.¹, Изюмская Н.Ф.¹, Иржак Д.В.¹, Рощупкин Д.В.¹, Штейнман Э.А.¹, Вдовин В.И.¹, Югова Т.Г.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 18 июня 2003 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Псевдоморфные гетероструктуры Si_0.76Ge_0.24 / Si, изготовленные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, облучали ионами Ge⁺ с энергией 350 кэВ при температуре 400^oC таким образом, чтобы пик энергетических потерь ионов находился в кремниевой подложке, ниже границы раздела SiGe / Si. Изучалось влияние ионной имплантации на релаксацию упругих напряжений и дефектную структуру, образующуюся в результате постимплантационных отжигов. Обнаружено, что отжиг уже при температуре 600^oC позволяет получить очень выскокую степень релаксации упругих напряжений в гетероструктуре при низкой плотности прорастающих дислокаций в слое SiGe (<10⁵ см^-2). Полученные результаты позволяют предложить метод изготовления тонких слоев SiGe на Si с высокой степенью релаксации, низкой плотностью прорастающих дислокаций и хорошей морфологией поверхности.

D.J. Pau. Adv. Mater., 11, 191 (1999)
A.N. Larsen. Sol. St. Phenomena, 69--70, 43 (1999)
U. Kenig, J. Hersener. Sol. St. Phenomena, 47--48, 17 (1996)
Y.-H. Xie, E.A. Fitzgerald, D. Monroe, G.P. Watson, P.J. Silverman. J. Appl. Phys., 33, 2372 (1994)
C.W. Leitz, M.T. Currie, A.Y. Kim, J. Lai, E. Robbins, A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 90, 2730 (2001)
S.Yu. Shiryaev, F. Jensen, J.W. Petersen. Appl. Phys. Lett., 64, 3305 (1994)
K.K. Lindner, F.C. Zhang, J.-S. Rieh, P. Bhattacharya, D. Houghton. Appl. Phys. Lett., 70, 3224 (1997)
I.H. Li, C.S. Peng, Y. Wu, D.Y. Dai, I.M. Zhou, Z.H. Mai. Appl. Phys. Lett., 71, 3132 (1997)
C.S. Peng, Z.Y. Zhao, H. Chen, J.H. Li, Y.K. Li, L.W. Guo, D.Y. Dai, Q. Huang, J.M. Zhou, Y.H. Zhang, T.T. Sheng, C.H. Tung. Appl. Phys. Lett., 72, 3160 (1998)
C.S. Peng, H. Chen, Z.Y. Zhao, J.H. Li, D.Y. Dai, Q. Huang, J.M. Zhou, Y.H. Zhang, C.H. Tung, T.T. Sheng, J. Wang. J. Cryst. Growth, 201 / 202, 530 (1999)
E. Kasper, K. Lyutovich, M. Bauer, M. Oehme. Thin Sol. Films, 336, 319 (1998)
K. Lyutovich, F. Ernst, E. Kasper, M. Bauer, M. Oehme. Sol. St. Phenomena, 69--70, 179 (1999)
M.Bauer, M. Oehme, K. Lyutovich, E. Kasper. Thin Sol. Films, 336, 104 (1998)
S. Mantl, B. Hollander, R. Liedtke, S. Mester, H.J. Herzog, H. Kibbel, T. Hackbarth. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 147, 29 (1999)
B. Hollander, S. Mantl, R. Liedtke, S. Mester, H.J. Herzog, H. Kibbel, T. Hackbarth. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 148, 200 (1999)
R. Hull, E.A. Stach, R. Tromp, F. Ross, M. Reuter. Phys. St. Sol. (a), 171, 133 (1999)
E.A. Stach, R. Hull, J.C. Bean, K.S. Jones, A. Nejim. Microsc. Microanal., 4, 294 (1998)
H. Trindaus, B. Hollander, S. Rongen, S. Mantl, H.-J. Herzog, J. Kuchenbecker, T. Hackbarth. Appl. Phys. Lett., 76, 3552 (2000)
A.F. Vyatkin, V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya, V.K. Egorov, V.V. Starkov, V.I. Zinenko, I.A. Smirnova, P.L.F. Hemment, A. Nejim, V.I. Vdovin, T.G. Yugova. XIII Int. Conf. on Ion Implantation Technology (IIT-2000), Alphach, Austria, 2000, IEEE (Piscataway, N. J, USA, ed. by H. Ryssel et al., 2000) xxvi + 827, p. 70
A.F. Vyatkin, V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya, V.K. Egorov, V.V. Starkov, V.I. Zinenko, I.A. Smirnova, P.L.F. Hemment, A. Nejim. Proc. 7th Russian-Japanese Int. Symp. on Interaction of Fasf Charged Particles with Solids (Nizhnii Novgorod, 2000) p. 22
V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya, A.F. Vyatkin, V.I. Zinenko, Yu.A. Agafonov, D.V. Irzhak, D.V. Roshchupkin, E.A. Steinman, V.I. Vdovin, T.G. Yugova. Mater. Sci. Eng. B, 89, 350 (2002)
N. Burger, E. Irion, A. Teschner, K. Thonke, R. Sauer. Phys. Rev. B, 35, 3804 (1987)
D.C. Schmidt, B.G. Svensson, M. Seibt, C. Jagadish, G. Davies. J. Appl. Phys., 88, 2309 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель