Вышедшие номера
Низкотемпературная релаксация упругих напряжений в SiGe / Si-гетероструктурах, облученных ионами Ge+
Аврутин В.С.1, Агафонов Ю.А.1, Вяткин А.Ф.1, Зиненко В.И.1, Изюмская Н.Ф.1, Иржак Д.В.1, Рощупкин Д.В.1, Штейнман Э.А.1, Вдовин В.И.1, Югова Т.Г.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 18 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

Псевдоморфные гетероструктуры Si0.76Ge0.24 / Si, изготовленные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, облучали ионами Ge+ с энергией 350 кэВ при температуре 400oC таким образом, чтобы пик энергетических потерь ионов находился в кремниевой подложке, ниже границы раздела SiGe / Si. Изучалось влияние ионной имплантации на релаксацию упругих напряжений и дефектную структуру, образующуюся в результате постимплантационных отжигов. Обнаружено, что отжиг уже при температуре 600oC позволяет получить очень выскокую степень релаксации упругих напряжений в гетероструктуре при низкой плотности прорастающих дислокаций в слое SiGe (<105 см-2). Полученные результаты позволяют предложить метод изготовления тонких слоев SiGe на Si с высокой степенью релаксации, низкой плотностью прорастающих дислокаций и хорошей морфологией поверхности.