Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs в квантовой яме InGaAsN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Humboldt University of Berlin, Berlin, Germany
4Technical University of Berlin, Berlin, Germany
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Humboldt University of Berlin, Berlin, Germany
4Technical University of Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 26 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.
Представленны результаты исследований структурных и оптических свойств гетероструктур на основе GaAs со слоями квантовых точек InAs, заращённых квантовыми ямами InGaAsN. Методами просвечивающей электронной микроскопии изучено влияние толщины слоя InGaAsN, а также содержания и распределения азота в нем на размеры нановключений и характер и плотность дефектов в структуре. Показано, что размеры нанодоменов InAs и констраст рассогласования постоянных решетки в структурах, содержащих азот, выше, чем в структурах, не содержащих азота. Продемонстрирована корреляция длины волны люминесценции с размерами и составом нанодоменов. Показана корреляция интенсивности излучения и плотности дефектов в структуре.
- N.N. Ledentsov. Growth Processes and Surface Phase Equilibria in Molecular Beam Epitaxy. Springer Tracts in Modern Physics (Berlin Springer, 1999) v. 156, p. 81
- D. Gollub, M. Fischer, A. Forchel. Electron. Lett., 38, 1183 (2002)
- D.G. Deppe, D.L. Huffaker, Z. Zou, G. Park, O.B. Shchekin. IEEE J. Quant. Electron., 35, 1238 (1999)
- N.N. Ledentsov. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 8, 1015 (2002)
- V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, V.I. Kopchatov, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, D. Bimberg. Electron. Lett., 34, 670 (1998)
- А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.В. Никитина, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.М. Шерняков, Ю.Г. Мусихин, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 37, 1143 (2003)
- H.A. Wonill, V. Gambin, B. Sank, M. Wistey, H. Yuen, L. Goddard, K. Seongsin, J. Harris. Abstracts Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy (2002) v. 61, p. 89
- I.P. Soshnikov, N.V. Kryzhanovskaya, O.M. Gorbenko, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, H. Kirmse, W. Neumann, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol. (to be published)
- L.H. Li, V. Sallet, G. Patriarche, L. Largeau, S. Bouchoule, K. Merghem, L. Travers, J.C. Harmand. Electron. Lett., 39, 519 (2003)
- И.П. Сошников, О.М. Горбенко, А.О. Голубок, Н.Н. Леденцов. ФТП, 35, 361 (2001)
- I.P. Soshnikov, N.N. Ledentsov, B.V. Volovik, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, O.M. Gorbenko, W. Passenberg, H. Kuenzel, N. Grote, V.M. Ustinov, H. Kirmse, W. Neumann, P. Werner, N.D. Zakharov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Proc 9th Int. Symp. " Nanostructures: Physics and Technology" (2001) v. 1, p. 82
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
