Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb-Al_0.6Ga_0.4As_0.97Sb_0.03

DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54933.4545

Переводная версия: 10.21883/SC.2023.01.55623.4545

Снигирев Л.А.¹, Ушанов В.И.¹, Иванов А.А.¹, Берт Н.А.¹, Кириленко Д.А.¹, Яговкина М.А.¹, Преображенский В.В.², Путято М.А.², Семягин Б.Р.², Касаткин И.А.³, Чалдышев В.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

³Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

Email: chald.gvg@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 19 января 2023 г.

В окончательной редакции: 7 февраля 2023 г.

Принята к печати: 9 февраля 2023 г.

Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.

PDF версия

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре с использованием прерываний роста успешно выращены эпитаксиальные слои Al_xGa_1-xAs_1-ySb_y с содержанием алюминия x~60% и содержанием сурьмы y~3%. Путем последующего отжига в полупроводниковой матрице сформирована развитая система нановключений AsSb. Увеличенное окно прозрачности полученного метаматериала позволило надежно документировать широкую полосу поглощения света вблизи края межзонного поглощения полупроводниковой матрицы Al_xGa_1-xAs_1-ySb_y. Параметры наблюдаемой полосы экстинкции позволяют связать такое поглощение света с плазмонным резонансом в системе нановключений AsSb. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, рентгенодифракционный анализ, просвечивающая электронная микроскопия, оптические свойства, плазмонный резонанс.

S.A. Maier. Plasmonics: Fundamentals and Applications (N. Y., Springer, 2007)
D. Zhao, Y. Liu, J. Qiu, X. Liu. Adv. Photonics Res., 2, 2100003 (2021)
N.A. Toropov, I.A. Gladskikh, P.V. Gladskikh, A.N. Kosarev, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, V.V. Chaldyshev, T.A. Vartanyan. J. Opt. Technol., 84, 459 (2017)
А.Н. Косарев, В.В. Чалдышев, А.А. Кондиков, Т.А. Вартанян, Н.А. Торопов, И.А. Гладских, П.В. Гладских, И. Акимов, M. Bayer, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. Опт. и спектр., 126(5), 575 (2019) [Opt. Spectrosc., 126, 492 (2019)]
M.R. Melloch, J.M. Woodall, E.S. Harmon, N. Otsuka, F.H. Pollak, D.D. Nolte, R.M. Feenstra, M.A. Lutz. Ann. Rev. Mater. Sci., 25, 547 (1995)
N.A. Bert, A.I. Veinger, M.D. Vilisova, S.I. Goloshchapov, I.V. Ivonin, S.V. Kozyrev, A.E. Kunitsyn, L.G. Lavrent'eva, D.I. Lubyshev, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, V.V. Tret'yakov, V.V. Chaldyshev, M.P. Yakubenya. ФТТ, 35 (10), 2609 (1993) [Phys. Solid State, 35, 1289 (1993)]
X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
L.G. Lavrent'eva, M.D. Vilisova, V.V. Preobrazhenskii, V.V. Chaldyshev. Crystallogr. Rep., 47, S118 (2002)
A.C. Warren, J.M. Woodall, J.L. Freeouf, D. Grischkowsky, D.T. McInturff, M.R. Melloch, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 57, 1331 (1990)
D.D. Nolte. J. Appl. Phys., 76, 3740 (1994).
N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, N.A. Cherkashin, V.N. Nevedomskii, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, V.I. Ushanov, M.A. Yagovkina. J. Appl. Phys., 125, 145106 (2019)
П.В. Лукин, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 46 (10), 1314 (2012) [Semiconductors, 46, 1291 (2012)]
В.И. Ушанов, В.В. Чалдышев, Н.Д. Ильинская, Н.М. Лебедева, М.А. Яговкина, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТТ, 56 (10), 1891 (2014) [Phys. Solid State, 56, 1952 (2014)]
В.И. Ушанов, В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, В.Н. Неведомский, Н.Д. Ильинская, Н.М. Лебедева, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 49 (12), 1641 (2015) [Semiconductors, 49, 1587 (2015)]
M.N. Chang, K.C. Hsieh, T.-E. Nee, J.-I. Chyi. J. Appl. Phys., 86, 2442 (1999)
N. Cherkashin, A. Claverie, C. Bonafos, V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. J. Appl. Phys., 102, 023520 (2007)
N. Bert, V. Ushanov, L. Snigirev, D. Kirilenko, V. Ulin, M. Yagovkina, V. Preobrazhenskii, M. Putyato, B. Semyagin, I. Kasatkin, V. Chaldyshev. Materials, 15, 7597 (2022)
M. Cardona, D.L. Greenaway. Phys. Rev. A, 133, 1685 (1964).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель