Методом магнетронного осаждения тонких пленок n-ZnO : Al на поверхность эпитаксиальных слоев n- и p-GaAs получены анизотипные и изотипные гетеропереходы ZnO / GaAs. Показано, что в широкой спектральной области 1.5-3.2 эВ полученные гетероструктуры обладают высокой фоточувствительностью (~5·10³ В / Вт при 300 K), которая осциллирует вследствие интерференции излучения в тонкопленочной компоненте. При наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность пленок ZnO в гетеропереходе возникает наведенный фотоплеохроизм, величина которого осциллирует в пределах ~1-55% при theta=85^o, что также связано с интерференцией излучения в пленке ZnO. Сделан вывод о перспективности применения полученных гетеропереходов в качестве узкоселективных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.