Осцилляции наведенного фотоплеохроизма в гетеропереходах ZnO / GaAs
Никитин С.Е.1, Николаев Ю.А.1, Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1, Fernelius N.1, Goldstein J.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.
Методом магнетронного осаждения тонких пленок n-ZnO : Al на поверхность эпитаксиальных слоев n- и p-GaAs получены анизотипные и изотипные гетеропереходы ZnO / GaAs. Показано, что в широкой спектральной области 1.5-3.2 эВ полученные гетероструктуры обладают высокой фоточувствительностью (~5·103 В / Вт при 300 K), которая осциллирует вследствие интерференции излучения в тонкопленочной компоненте. При наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность пленок ZnO в гетеропереходе возникает наведенный фотоплеохроизм, величина которого осциллирует в пределах ~1-55% при theta=85o, что также связано с интерференцией излучения в пленке ZnO. Сделан вывод о перспективности применения полученных гетеропереходов в качестве узкоселективных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.
- Ю.В. Рудь. Изв. вузов СССР. Физика, 29, 68 (1986)
- Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Г.В. Шок. ФТП, 33, 513 (1999)
- С.Г. Конников, Д. Мелебаев, В.Ю. Рудь, М. Сергинов. Письма ЖТФ, 18 (12), 38 (1992)
- С.Г. Конников, Д. Мелебаев, В.Ю. Рудь, А. Беркелиев, М.Г. Дурдымурадова, О.В. Корнякова. Письма ЖТФ, 19 (4), 57 (1993)
- С.Г. Конников, Г.Д. Мелебаева, Д. Мелебаев, В.Ю. Рудь, М. Сергинов. Письма ЖТФ, 18 (24), 32 (1992)
- S.G. Konnikov, D. Melebaev, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', A. Berkeliev, M. Serginov, S. Tilevov. Jap. J. Appl. Phys., 32 (3), 515 (1993)
- N. Mardeesich. In: Proc 15th IEEE Photovoltaic Spec. Conf. (Kissimee, 1981) [IEEE El. Dev. Lett., N 4, 446 (1981)]
- Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, W. Fuhs, A. Froitzheim. ФТП, 36, 1128 (2002)
- С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 37 (11), 1329 (2003)
- E. Aperathirtis, Z. Hatzpoulos, M. Androulidaki, V. Foukaraki, A. Kondilis, C.G. Scott, D. Sands, P. Panayotatos. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 45, 161 (1997)
- S.M. Sze. Physics of Semiconductors Devices (N. Y., Willey Interscience Publ., 1981)
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой. (М., Наука, 1979)
- A. Shileika. Surf. Sci., 37, 730 (1973)
- H. Ohta, H. Miroguch, M. Hirano. Appl. Phys. Lett., 82, 823 (2003)
- Г.С. Ландсберг. Оптика (М., Наука, 1976)
- G.A. Medvedkin., Yu.V. Rud'. Phys. St. Sol. (a), 67, 333 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.