Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2004, выпуск 4 » Статья стр. 436
<<<>>>
Резонансное Gamma-X-туннелирование в однобарьерных гетероструктурах GaAs/AlAs/GaAs
Ханин Ю.Н.1, Вдовин Е.Е.1, Дубровский Ю.В.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.
PDF версия
-1 Статья посвящена изучению транспорта электронов через однобарьерные гетероструктуры GaAs/AlAs/GaAs, обусловленного процессами резонансного туннелирования между двумерными состояниями, принадлежащими долине Gamma зоны проводимости GaAs, и различными двумерными или нуль-мерными донорными состояниями, принадлежащими нижним долинам X зоны проводимости AlAs. Было обнаружено резонансное туннелирование электронов как через различные двумерные состояния, относящиеся к долинам Xz и Xxy в AlAs (состояния Xz и Xxy), так и через связанные с ними состояния доноров Si XDz и XDxy. Это позволило непосредственно из результатов идентификации резонансных особенностей транспортных характеристик определить энергии связи этих донорных состояний EB(XDz)~ 50 мэВ и EB(XDxy)~ 70 мэВ соответственно. Анализ структуры экспериментальных резонансов, соответствующих туннелированию в магнитном поле между Gamma- и X-уровнями Ландау, позволил нам определить значение поперечной эффективной массы в X-долинах AlAs mt=(0.2± 0.02)m0. Обнаружена дополнительная тонкая структура донорных резонансов на экспериментальных транспортных характеристиках, вызванная резонансным туннелированием электронов через состояния доноров, расположенных в различных атомных слоях барьера AlAs (в направлении роста) и обладающих, вследствие этого, различными энергиями связи.
  1. E.E. Mendez, W.I. Wang, E. Calleja, C.E.T. Goncalves da Silva. Appl. Phys. Lett., 50 (18), 1263 (1987)
  2. J.J. Finley, R.J. Teissier, M.S. Skolnick, J.W. Cockburn, R. Grey, G. Hill, M.A. Pate. Phys. Rev. B, 54, 5251 (1996)
  3. R.J. Teissier, J.J. Finley, M.S. Skolnick, J.W. Cockburn, J.-L. Pelouard, R. Grey, G. Hill, M.A. Pate, R. Planel. Phys. Rev. B, 54, 8329 (1996)
  4. J.M. Smith, P.C. Klipstein, R. Grey, G. Hill. Phys. Rev. B, 58, 4708 (1998)
  5. J.M. Smith, P.C. Klipstein, R. Grey, G. Hill. Phys. Rev. B, 57, 1740 (1998)
  6. H.W. van Kesteren, E.C. Cosman, P. Dawson, K.J. Moore, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, 39, 13 426 (1989)
  7. E.R. Glaser, T.A. Kennedy, B. Molnar, R.S. Sillmon, M.G. Spencer, M. Mizuta, T.F. Kuech. Phys. Rev. B, 43, 14 540 (1991)
  8. K. Maezawa, T. Mizutani, S. Yamada. J. Appl. Phys., 71, 296 (1992)
  9. S. Yamada, K. Maezawa, W.T. Yuen, R.A. Stradling. Phys. Rev. B, 49, 2189 (1994)
  10. D. Scalbert, J. Cernogora, C. Benoit a la Guillaume, M. Maaref, F.F. Charfi, R. Planel. Sol. St. Commun., 70, 945 (1989)
  11. D. Landheer, H.C. Liu, M. Buchanan, R. Stoner. Appl. Phys. Lett., 54, 1784 (1989)
  12. P. Lefebvre, B. Gil, H. Mathieu, R. Planel. Phys. Rev. B, 40, 7802 (1989)
  13. M. Goiran, J.L. Martin, J. Leotin, R. Planel, S. Askenazy. Physica B, 177, 465 (1992)
  14. B. Rheinlander, H. Neumann, P. Fischer, G. Kuhn. Phys. St. Sol. (b), K167, 49 (1972)
  15. G. Weber. Appl. Phys. Lett., 67 (10), 1447 (1995)
  16. S.T. Lee, A. Petrou, M. Dutta, J. Pamulapati, P.G. Newman, L.P. Fu. Phys. Rev. B, 51, 1942 (1995)
  17. M.W. Delow, P.H. Beton, C.J.M. Langerak et al. Phys. Rev. Lett., 68, 1754 (1992)
  18. J.W. Sakai, P.C. Main, P.H. Beton et al. Appl. Phys. Lett., 64, 2563 (1994)
  19. J.W. Sakai, T.M. Fromhold, P.H. Beton, L. Eaves, M. Henini, P.C. Main, F.W. Sheard, G. Hill. Phys. Rev. B, 48, 5664 (1993)
  20. H. Fukuyama, T. Waho. Jap. J. Appl. Phys., 34, L342 (1995)
  21. J.M. Shi, F.M. Peeters, G.Q. Hai, J.T. Devreese. Phys. Rev. B, 44, 5692 (1991)
  22. J.J. Finley, R.J. Teissier, M.S. Skolnick, J.W. Cockburn, G.A. Roberts, R. Grey, G. Hill, M.A. Pate, R. Planel. Phys. Rev. B, 58, 10 619 (1998)
  23. Yu.V. Dubrovskii, Yu.N. Khanin, I.A. Larkin, S.V. Morozov, T.G. Andersson, J.R. Soderstrom. Phys. Rev. B, 50, 4897 (1994)
  24. Ю.В. Дубровский, Ю.Н. Ханин, T.G. Andersson, U. Gennser, D.K. Maude, J.-C. Portal. ЖЭТФ, 82 (3), 467 (1996)
  25. Y. Carbonneau, J. Beerens, H.C. Liu et al. Appl. Phys. Lett., 62 (16), 1955 (1993)
  26. M. Tsuchiya, H. Sakaki. Jap. J. Appl. Phys., 30, 1164 (1991).
  27. I.P. Roche, G.P. Whittington, P.C. Main, L. Eaves, F.W. Sheard, G. Wunner, K.E. Singer. J. Phys.: Condens. Matter., 2, 4439 (1990)
  28. P. McDonnell, T.J. Foster, P.C. Main, L. Eaves, N. Mori, J.W. Sakai, M. Henini, G. Hill. Sol. St. Electron., 40, 409 (1996)
  29. P.C. Main, T.J. Foster, P. McDonnell, L. Eaves, M.J. Gompertz, N. Mori, J.W. Sakai, M. Henini, G. Hill. Phys. Rev. B, 62, 16 721 (2000)
  30. R.L. Greene, K.K. Bajaj. Sol. St. Commun., 45, 825 (1983)
  31. L.E. Oliveira. Phys. Rev. B, 38, 10 641 (1988)
  32. Y.C. Kang, M. Suhara, K. Furuya et al. Jap. J. Appl. Phys., 34, 4417 (1995)
  33. А.И. Ларкин, К.А. Матвеев. ЖЭТФ, 93 (3), 1030 (1987).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme