Вышедшие номера
Резонансное Gamma-X-туннелирование в однобарьерных гетероструктурах GaAs/AlAs/GaAs
Ханин Ю.Н.1, Вдовин Е.Е.1, Дубровский Ю.В.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

-1 Статья посвящена изучению транспорта электронов через однобарьерные гетероструктуры GaAs/AlAs/GaAs, обусловленного процессами резонансного туннелирования между двумерными состояниями, принадлежащими долине Gamma зоны проводимости GaAs, и различными двумерными или нуль-мерными донорными состояниями, принадлежащими нижним долинам X зоны проводимости AlAs. Было обнаружено резонансное туннелирование электронов как через различные двумерные состояния, относящиеся к долинам Xz и Xxy в AlAs (состояния Xz и Xxy), так и через связанные с ними состояния доноров Si XDz и XDxy. Это позволило непосредственно из результатов идентификации резонансных особенностей транспортных характеристик определить энергии связи этих донорных состояний EB(XDz)~ 50 мэВ и EB(XDxy)~ 70 мэВ соответственно. Анализ структуры экспериментальных резонансов, соответствующих туннелированию в магнитном поле между Gamma- и X-уровнями Ландау, позволил нам определить значение поперечной эффективной массы в X-долинах AlAs mt=(0.2± 0.02)m0. Обнаружена дополнительная тонкая структура донорных резонансов на экспериментальных транспортных характеристиках, вызванная резонансным туннелированием электронов через состояния доноров, расположенных в различных атомных слоях барьера AlAs (в направлении роста) и обладающих, вследствие этого, различными энергиями связи.