Исследование характеристик фотодиодных линеек на InSb
Бирюлин П.В.1, Туринов В.И.1, Якимов Е.Б.2
1Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 18 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.
Исследованы электрические характеристики из 8-элементных сурьмянисто-индиевых фотодиодных линеек при T=78-145 K. Коэффициенты взаимной связи соседних p-n-переходов не превышали 4.3%. При исследовании поверхности имплантированных цинком p-n-переходов в режиме вторичных электронов и методом наведенного тока в растровом микроскопе у них выявлены дефекты под пленкой ZnS, а также локальные неоднородности тока через p-n-переходы.
- C.E. Hurwitz, J.P. Donnelly. Sol. St. Electron., 18, 753 (1975)
- О.В. Косогов, Л.С. Перевязкин. ФТП, 5, 1611 (1970)
- В.А. Богатырев, Г.А. Качурин, Л.С. Смирнов. ФТП, 12, 102 (1978)
- В.А. Богатырев, Г.А. Качурин, Л.С. Смирнов. ФТП, 12, 878 (1978)
- А.Б. Коршунов. ФТП, 13, 1846 (1979)
- В.И. Стафеев. ЖТФ, 28, 1631 (1958)
- В.И. Туринов. Тез. докл. 9-й науч.-техн. конф. Фотометрия и ее метрологическое обеспечение" , 24-26 ноября (М., ВНИИОФИ, 1992) с. 43
- Г.Н. Панин, В.Ф. Кулешов, Е.Б. Якимов. Тез. докл. VII Всес. симп. Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы" (Изд-во Львов, гос. ун-та, 1986) ч. 1, с. 43
- Е.Б. Якимов. Изв. РАН. Сер. физ., 56, 31 (1992)
- I. Bloom, Y. Nemirovsky. IEEE Trans. Electron. Dev., 38, 1792 (1991)
- G.C. Bailey, C.A. Niblack, J.T. Wimmers. SPIE, 686, 76 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
