Исследованы спектры люминесценции легированных и нелегированных структур GaAs/GaAlAs и InGaAs/GaAs/GaAlAs, содержащих по несколько десятков ступенчатых квантовых ям. В излучении квантовых ям наблюдаются полосы, соответствующие свободным и локализованным экситонам, а также примесным состояниям. Спектры возбуждения люминесценции свидетельствуют об экситонном механизме релаксации возбуждения свободных экситонов до состояния e1hh1, тогда как локализованным экситонам и примесным состояниям свойственна независимая релаксация электронов и дырок. Проведено сравнение уровней энергии электронов и дырок, рассчитанных по модели Кейна для ступенчатых квантовых ям, с данными, полученными из спектров возбуждения люминесценции. По соотношению интенсивностей полос излучения экситонов e1hh1 и более высоких по энергии экситонных состояний установлено, что при росте уровня оптического возбуждения переход e1hh1 легче насыщается при высоких температурах вследствие увеличения времени жизни экситона. Рост возбуждения приводит к появлению и нелинейному усилению полосы излучения электронно-дырочной плазмы. При уровне возбуждения ~10⁵ Вт/см² экситоны экранируются и полоса излучения плазмы доминирует в излучении квантовых ям. Неравновесные спектры люминесценции, полученные в пикосекундном режиме возбуждения и регистрации, показывают, что излучательные переходы e1hh1 и e2hh2 полностью поляризованы в плоскости квантовых ям.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.