Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Выращивание эпитаксиальных слоев AlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Лундин В.В.1, Сахаров А.В.1, Цацульников А.Ф.1, Заварин Е.Е.1, Бесюлькин А.И.1, Фомин А.В.1, Сизов Д.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 27 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.
Исследованы особенности газофазной эпитаксии из металлорганических соединений слоев AlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN в реакторах различного размера (лабораторный Epiquip VP-50 RP и полупромышленный AIX2000HT). Обнаружен эффект насыщения зависимости содержания алюминия в твердой фазе от потока триметилалюминия (ТМА) в реакторе, препятствующий выращиванию слоев с высоким содержанием алюминия. Эффект наблюдался для обоих исследованных реакторов, однако он более выражен в реакторе большего размера. Предположительно, данный эффект является следствием паразитных реакций в газовой фазе и зависит от парциального давления ТМА в реакторе. Помимо снижения общего давления в реакторе, содержание алюминия в слоях может быть увеличено при повышении полного потока газа через реактор и снижении потока триметилгаллия. При использовании данных подходов на полупромышленной установке AIX2000HT были выращены слои с мольной долей AlN до 20% при давлении в реакторе 400 мбар (до 40% при 200 мбар). В лабораторном реакторе были выращены слои AlGaN во всем диапазоне составов.
- E. Woelk, G. Strauch, D. Schnitz, H. Jurgensen. Proc. 1st Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes (March 5-7, 1996, Chiba, Japan) p. 514
- V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, A.S. Usikov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, M.V. Baidakova, J. Stemmer, H. Klausing, D. Mistele. Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Ser., 1, 665 (2000)
- W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, E.E. Zavarin, A.I. Besulkin, M.F. Kokorev, R.N. Kyutt, V.Yu. Davydov, V.V. Tretiakov, D.V. Pakhnin, A.S. Usikov. Phys. St. Sol. (a), 188 (2), 885 (2001).
- W.V. Lundin, A.S. Usikov, I.L. Krestnikov, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Baidakova, D.V. Poloskin, V.V. Tret'iakov, N.N. Ledentsov. Booklet of the 8th EW-MOVPE (June 8-11, 1999, Prague, Czech Republic) p. 49
- В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, Д.С. Сизов, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов. Тез. докл. 2-й Всеросс. конф. " Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., 3-4 февраля 2003 г.) с. 93
- A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.S. Usikov, Yu.A. Kudriavtsev, A.V. Lunev, Y.M. Sherniakov, N.N. Ledentsov. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 28 (1998)
- О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин. Тез. докл. VI Росс. конф. по физике полупроводников (СПб., 27-31 октября 2003 г.) с. 462
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
