Вышедшие номера
Мягкий пробой как причина спада тока в туннельной МОП структуре
Шулекин А.Ф.1, Тягинов С.Э.1, Khlil R.2, El Hdiy A.2, Векслер М.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2LASSI/DTI, CNRS-UMR, UFR Sciences BP,, Reims cedex 2, France
Поступила в редакцию: 10 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Изучено влияние электрического стресса на вольт-амперные характеристики МОП диодов Al/SiO2/p+-Si с туннельно-тонким диэлектриком (2.5-3.0 нм). Проведены испытания образцов при постоянном токе и при постоянном напряжении. В процессе стресса при постоянном напряжении, наряду с увеличением тока, связанным с мягким пробоем, в некоторых случаях отмечено скачкообразное уменьшение тока. Подобный срыв тока имеет место преимущественно при высоких напряжениях и может быть обусловлен специфическим проявлением мягкого пробоя. При сильной пространственной дисперсии толщины SiO2 данный эффект играет существенную роль, даже если пробой локализован в достаточно малой области.