Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Терагерцовые излучатели с активной областью на основе сверхмногопериодных решеток AlGaAs/GaAs

DOI: 10.21883/FTP.2023.05.56197.17k

Министерство образования и науки Российской Федерации, гос. задание «молодежная лаборатория», № 075-01438-22-06, FSEE-2022-0018

Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами, 23-29-00216

Дашков А.С.

^1,2, Герчиков Л.Г.

^1,3, Горай Л.И.

^1,2,4,5, Костромин Н.А.

^2,3, Буравлёв А.Д.^2,4,5

¹Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

⁴Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

⁵Автономная некоммерческая организация высшего образования Университет при межпарламентской ассамблее ЕврАзЭС", Санкт-Петербург, Россия University under the Inter-Parliamentary Assembly of EurAsEC, St. Petersburg, Russia

University under the Inter-Parliamentary Assembly of EurAsEC, St. Petersburg, Russia

Email: dashkov.alexander.om@gmail.com

Поступила в редакцию: 5 мая 2023 г.

В окончательной редакции: 29 июня 2023 г.

Принята к печати: 6 июля 2023 г.

Выставление онлайн: 25 августа 2023 г.

PDF версия

Рассмотрено несколько конструкций активной области терагерцового источника излучения с учетом выращиваемых сверхмногопериодных сверхрешеток AlGaAs/GaAs. Для предложенных дизайнов рассчитаны основные приборные характеристики: энергетическая диаграмма, спектр усиления, транспортные характеристики. На основе результатов расчетов предложена оптимальная конструкция активной области перестраиваемого источника терагерцового излучения. Ключевые слова: терагерцовый диапазон частот, активная область, приборные характеристики. DOI: 10.21883/FTP.2023.05.56197.17k

Н.В. Кинев, К.И. Рудаковa, Л.В. Филиппенко, В.П. Кошелец. ФТТ, 63 (9), 1204 (2021)
S.L. Dexheimer. Terahertz Spectroscopy: Principles and Applications (N.Y., CRC Press, 2008) p. 360
M.C. Beard, G.M. Turner, C.A. Schmuttenmaer. J. Phys. Chem. B, 106 (29), 7146 (2002)
J.B. Baxter, G.W. Guglietta. Anal. Chem., 83 (12), 4342 (2011)
A.G. Davies, A.D. Burnett, W. Fan, E.H. Linfield, J.E. Cunningham. Materials Today, 11 (3), 18 (2008)
J. True, C. Xi, N. Jessurun, K. Ahi, N. Asadizanjani. Opt. Eng., 60 (6), 060901 (2021)
M.O. Mattsson, M. Simko. Med. Devices (Auckl.), 12, 347 (2019)
K. Tekbiyik, A.R. Ekti, G.K. Kurt, A. Gorcin. Phys. Commun., 35, 100700 (2019)
A. Khalatpour, A.K. Paulsen, C. Deimert, Z.R. Wasilewski, Q. Hu. Nature Photonics, 15, 16 (2021)
A.A. Andronov, A.V. Ikonnikov, K.V. Maremianin, V.I. Pozdnjakova, Y.N. Nozdrin, A.A. Marmalyuk, A.A. Padalitsa, M.A. Ladugin, V.A. Belyakov, I.V. Ladenkov, A.G. Fefelov. J. Semiconductors, 52, 431 (2018)
A.A. Andronov, E.P. Dodin, D.I. Zinchenko, Yu.N. Nozdrin, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, A.A. Padalitsa, V.A. Belyakov, I.V. Ladenkov, A.G. Fefelov. JETP Lett., 102, 207 (2015)
A.A. Andronov, I.M. Nefedov, A.V. Sosnin. J. Semiconductors, 37, 360 (2003)
C. Jirauschek, T. Kubis. Appl. Phys. Rev., 1 (1), 011307 (2014)
P. Harrison, A. Valavanis. Quantium wells, wires and dots: theoreticall and computation physics of semiconductor nanostructure (West Sussex, UK: Hoboken, NG: John Wiley \& Sons, Inc., 2016) p. 624
A.S. Dashkov, L.I. Goray. J. Phys.: Conf. Ser., 1410, 012085 (2019)
A.S. Dashkov, L.I. Goray. J. Semiconductors, 54, 1823 (2020)
В.Э. Гасумянц, Д.А. Фирсов. Электроны и фононы в квантоворазмерных системах (СПб., Изд-во Политехн. ун-та, 2008) c. 96
H.S. Cho, P.R. Prucnal. Phys. Rev. B, 36, 3237 (1987)
F. Szmulowicz. Eur. J. Phys., 18 (5), 392 (1997)
А.Ю. Егоров. Автореф. докт. дис. (СПб., СПбАУ РАН, 2011)
I. Vurgaftman, J.R. Meyer. J. Appl. Phys., 94 (6), 3675 (2003)
B.S. Williams. Synopsis of the dissertation of M. S. in EECS (Cambridge, Massachusetts, MIT, 1998)
H. Kogelnik. Theory of optical waveguides (Heidelberg, Springer Verlag, 1988) p. 82
А.А. Андронов, Е.П. Додин, Д.И. Зинченко, Ю.Н. Ноздрин. ФТП, 43 (2), 248(2009)
Л.И. Горай, Е.В. Пирогов, М.С. Соболев, Н.К. Поляков, А.С. Дашков, М.В. Свечников, А.Д. Буравлев. ЖТФ, 90 (11), 1906 (2020)
Л.И. Горай, Е.В. Пирогов, М.С. Соболев, Н.К. Поляков, А.С. Дашков, М.В. Свечников, А.Д. Буравлев. Письма ЖТФ, 47 (15), 7 (2021)
L. Goray, E. Pirogov, M. Sobolev, I. Ilkiv, A. Dashkov, E. Nikitina, E. Ubyivovk, L. Gerchikov, A. Ipatov, Y. Vainer, M. Svechnikov, P. Yunin, N. Chkhalo, A. Bouravlev. J. Phys. D: Appl. Phys., 53, 455103 (2020)
Д.С. Смотрин, Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, О.С. Комков, О.Е. Гордюшенков. Тез. докл. XVI Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, Россия, 2012) т. 2, с. 388
V.D. Goryacheva, M.S. Mironova, O. S. Komkov. J. Phys.: Conf. Ser., 1038, 012124 (2018)
Л.Г. Герчиков, А.С. Дашков, А.Д. Буравлев. ЖЭТФ, 160 (2), 197 (2021)
D.O. Winge, M. Franckie, A. Wacker. AIP Advances, 6 (4), 045025 (2016).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель