Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование зависимостей проводимости и коэффициента Холла от магнитного поля в пленках Cd_XHg_1-XTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Бахтин П.А.¹, Дворецкий С.А.¹, Варавин В.С.¹, Коробкин А.П.¹, Михайлов Н.Н.¹, Сидоров Ю.Г.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 8 января 2004 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование зависимостей проводимости и коэффициента Холла от магнитного поля в пленках Cd_XHg_1-XTe (КРТ) при 77 K. Пленки n-типа с X=0.21-0.23 были выращены на подложках GaAs ориентации (013) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено уменьшение проводимости и коэффициента Холла в 3-5 раз при изменении магнитного поля от 0 до 1 Тл. Показано, что такие зависимости хорошо описываются в рамках двухслойной модели с высокой и низкой подвижностью электронов. Анализ измерений при послойном стравливании пленок показал, что пленку КРТ можно представить в виде двухслойной структуры. При этом тонкий слой, имеющий высокую концентрацию электронов с низкой подвижностью, расположен у границы с буферным слоем CdTe. Высокая концентрация электронов с низкой подвижностью в этом слое может быть обусловлена повышенной дефектностью слоя. Исследования с помощью просвечивающей электронной микроскопии показали наличие сетки дислокаций в пленке КРТ у границы с буферным слоем.

M.B. Reine, K.R. Maschhoff, S.P. Tobin, P.W. Norton, J.A. Mroczkowski, E.E. Krueger. Semicond. Sci. Technol., 8, 788 (1993)
J.R. Meyer, C.A. Hoffman, F.J. Bartoli, D.A. Arnold, S. Sivananthan, J.P. Faurie. Semicond. Sci. Technol., 8, 805 (1993)
E. Finkman, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., 53 (2), 1052 (1982)
L.F. Lou, W.H. Frye. J. Appl. Phys., 56 (8), 2253 (1984)
Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35 (9), 1092 (2001)
R.L. Petritz. Phys. Rev., 110, 1254 (1958)
С.Г. Гасан-заде, С.В. Старый, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский. ФТП, 37 (1), 8 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель