Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние сероводорода на электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур Al--p-Si--SnO2 : Cu--Ag
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 30 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
Для гетероструктуры Al-p-Si-SnO2 : Cu-Ag проведены исследования вольт-амперных характеристик, спектральной фоточувствительности, зависимости фототока от смещения и влияния на них газовой смеси 1%-H2S/N2. Установлен механизм токопереноса для темновых и световых носителей J propto U2. Результатом экспонирования в сероводороде является сдвиг спектральной кривой фотоэдс в коротковолновую область. Кинетика спада фототока в атмосфере сероводорода характеризуется большими временами релаксации.
- W. Gopel. Progr. Surf. Sci., 20, 9 (1985)
- Solid State Gas Sensors, ed. by P.T. Moseley, B.C. Tofield (Bristol--Philadelphia, Hilger, 1987) p. 51
- T. Maekawa, J. Tamaki, N. Miura, N. Jamazoe. Chem. Lett., 4, 575 (1991)
- J. Tamaki, T. Maekawa, N. Miura, N. Jamazoe. Sens. Actuators, 9, 197 (1992)
- А.М. Гаськов, Л.И. Рябова, М. Лабо, Ж. Делабугриз, М.Н. Румянцева, Т.А. Кузнецова, М.Н. Булова. Неорг. химия, 41, 989 (1996)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) гл. 13
- Б.А. Акимов, А.В. Албул, А.М. Гаськов, В.Ю. Ильин, М. Лабо, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова. ФТП, 31 (4), 400 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
