Сверхвысокочастотные полевые транзисторы на основе нитридов III группы
Александров С.Б.1, Баранов Д.А.1, Кайдаш А.П.1, Красовицкий Д.М.1, Павленко М.В.1, Петров С.И.1, Погорельский Ю.В.1, Соколов И.А.1, Степанов М.В.1, Чалый В.П.1, Гладышева Н.Б.1, Дорофеев А.А.1, Матвеев Ю.А.1, Чернявский А.А.1
1ЗАО "Научное и технологическое оборудование", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
Обсуждаются концепция конструирования и основные свойства экспериментальных двойных гетероструктур AlGaN / GaN / AlGaN с двумерным электронным каналом, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира. Разработаны основы постростовой технологии полевых сверхвысокочастотных транзисторов на основе нитридов III группы, включающие в себя формирование меза-изоляции и цикл изготовления омических контактов и барьера Шоттки. Первые полевые транзисторы, изготовленные из указанных гетероструктур, имеют полный набор статических характеристик и демонстрируют работоспособность в режиме малых сверхвысокочастотных сигналов на частоте 8.15 ГГц.
- X. Li, K.F. Logenbach, W.I. Wang. Appl. Phys. Lett., 60, 1513 (1992)
- S.S. Lu, C.L. Huang. IEE Electron. Lett., 30, 823 (1994)
- M. Asif Khan, J.N. Kuznia, D.T. Olson, W.J. Schaff, J.W. Burm, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 65, 1121 (1994)
- M. Asif Khan, A. Bhattarai, J.N. Kuznia, D.T. Olson. Appl. Phys. Lett., 63, 1214 (1993)
- A. Wieszt, R. Dietrich, J.-S. Lee, A. Vescan, H. Leier, E.L. Piner, J.M. Redwing, H. Sledzik. Europ. Gallium Arsenide and Related III-V Compounds Appl. Symp. Proc. (Paris, France, 2000) p. 260
- " Oki Electric Power Transistor for Wireless Communications Achieves World's-Best Amplification Characteristics" http: / www.oki.com / en / press / 2003 / z02123e.html
- M.G. Cheong, K.S. Kim, C.S. Oh, N.W. Namgung, G.M. Yang, C.-H. Hong, K.Y. Lim, E.-K. Suh, K.S. Nahm, H.J. Lee, D.H. Lim, A. Yoshikawa. Appl. Phys. Lett., 77, 2557 (2000)
- X.L. Sun, S.H. Goss, L.J. Brillson, D.C. Look, R.J. Molnar. J. Appl. Phys., 91, 6729 (2002)
- X.L. Sun, S.H. Goss, L.J. Brillson, D.C. Look, R.J. Molnar. Phys. Status Solidi B, 228, 441 (2001)
- S.H. Goss, X.L. Sun, A.P. Young, L.J. Brillson, D.C. Look, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett., 78, 3630 (2001)
- R. Armitage, Qing Yang, H. Feick, J. Gebauer, E.R. Weber, Satoko Shinkai, Katsutaka Sasaki. Appl. Phys. Lett., 81, 1450 (2002)
- S.N. Basu, T. Lei, T.D. Moustakas. J. Mater. Res., 9, 2370 (1994)
- Z. Bougrioua, I. Moerman, N. Sharma, R.H. Wallis, J. Cheyns, K. Jacobs, E.J. Thrush, L. Considine, R. Beanland, J.-L. Farvacque, C. Humphreys. J. Cryst. Growth, 230, 573 (2001)
- N.I. Kuznetsov, A.E. Nikolaev, A.S. Zubrilov, Yu.V. Melnik, V.A. Dmitriev. Appl. Phys. Lett., 75, 3138 (1999)
- H. Tang, J.B. Webb, J.A. Bardwell, S. Rolfe, T. MacElwee. Sol. St. Electron., 44, 2177 (2002)
- R.P. Vaudo, X. Xu, A. Salant, J. Malcarne, G.R. Brandes. Phys. Status Solidi A, 200 (1), 18 (2003)
- Z. Bougrioua, I. Moerman, L. Nistor, B. Van Daele, E. Monroy, T. Palacios, F. Calle, M. Leroux. Phys. Status Solidi A, 195 (1), 93 (2003)
- Narihiko Maeda, Tadashi Saitoh, Kotaro Tsubaki, Takehiko Tawara, Naoki Kobayashi. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 743, L.9.3.1 (2003)
- R.A. Keihl, P.M. Solomon, D.J. Frank. IBM J. Res. Develop., 34, 506 (1990)
- А.В. Алексеев, А.Н. Волков, Д.М. Красовицкий, Ю.В. Погорельский, И.А. Соколов, М.В. Степанов, В.П. Чалый, А.П. Шкурко, С.П. Яковлев. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 1, 32 (2001)
- "Полевой транзистор". Заявка на Патент N2003109501 / 28 / (010201), Приоритет от 01.04.03. Решение о выдаче от 28.08.03
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук