Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности роста нитевидных наноструктур InP на подложках кремния из паровой фазы
Российский научный фонд, 23-22-00349
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: karlin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 11 июля 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 8 декабря 2023 г.
Впервые показана возможность выращивания InP-нитевидных кристаллов из насыщенных паров фосфора и индия в соотношении V/III 8-10 в квазизамкнутом объеме на подложках кремния ориентации (111) со слоем естественного окисла в пределах 2-2.5 нм. Обнаружен устойчивый рост нитевидных кристаллов InP из каталитических капель Au-In-P, образующихся непосредственно в начальный период роста. Оптические исследования подтвердили, что на поверхности Si формируются InP-наноструктуры. Полученные структуры обнаруживают высокий уровеь легирования, предположительно, атомами олова. Ключевые слова: нитевидные наноструктуры InP, рост из паровой фазы, AIIIBV на Si.
- G. Boras, X. Yu, H. Liu. J. Semiconductors, 40, 101301 (2019)
- B. Pala, K.J. Sarkarb, S. Dasc, P. Banerjia. J. Alloys Compd., 885, 160943 (2021)
- X. Duan, Yu Huang, Y. Cui, J. Wang, C.M. Lieber. Nature, 409, 66 (2001)
- Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1974)
- V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205325 (2005)
- V.G. Dubrovskii. Nucleation theory and growth of nanostructures (Springer, N.Y., 2014)
- H. Hijazi, V.G. Dubrovskii, G. Monier E. Gil, C. Leroux, G. Avit, A. Trassoudaine C. Bougero, D. Castellucci C.R. Goumet, Y. Andre. Phys. Chem. C, 122 (33), 19230 (2018)
- F. Matteini, G. Tutuncuovglu, D. Ruffer, E. Alarcon-Llado, A.F. Morral. J. Cryst. Growth, 404, 246 (2014)
- A.S. Vlasov, L.B. Karlina, B.Ya. Ber, N.A. Bert, M.E. Boiko, D.Y. Kazantsev, A.A. Levin, A.B. Smirnov, I.P. Smirnova, I.P. Soshnikov. Mater. Today Commun., 31, 10323 (2022)
- G.A. Antypas. Appl. Phys. Lett., 37, 64 (1980)
- N. Vainorius, S. Lehmann, K.A. Dick, M.E. Pistol. Opt. Express, 28 (8), 11016 (2020)
- J.H. Park, Ch.-H. Chung. Nanoscale Res. Lett., 14, 355 (2019)
- A. Iqbal, J.P. Beech, N. Anttu, M.-E. Pistol, L. Samuelson, M.T. Borgstrom, A. Yartsev. Nanotechnology, 24, 115706 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
