Вышедшие номера
Особенности роста нитевидных наноструктур InP на подложках кремния из паровой фазы
Российский научный фонд, 23-22-00349
Карлина Л.Б.1, Власов А.С.1, Илькив И.В.2, Вершинин А.В.2, Сошников И.П.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: karlin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 11 июля 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 8 декабря 2023 г.

Впервые показана возможность выращивания InP-нитевидных кристаллов из насыщенных паров фосфора и индия в соотношении V/III 8-10 в квазизамкнутом объеме на подложках кремния ориентации (111) со слоем естественного окисла в пределах 2-2.5 нм. Обнаружен устойчивый рост нитевидных кристаллов InP из каталитических капель Au-In-P, образующихся непосредственно в начальный период роста. Оптические исследования подтвердили, что на поверхности Si формируются InP-наноструктуры. Полученные структуры обнаруживают высокий уровеь легирования, предположительно, атомами олова. Ключевые слова: нитевидные наноструктуры InP, рост из паровой фазы, AIIIBV на Si.