Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2005, выпуск 1 » Статья стр. 82
<<<>>>
Эффективная фотолюминесценция ближнего инфракрасного диапазона в слоях нитрида галлия, легированного мышьяком
Андрианов А.В.1, Новиков С.В.1, Журавлев И.С.1, Ли Т.2, Чаа Р.2, Булл С.2, Харрисон И.2, Ларкинс Е.К.2, Фоксон К.Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физический факультет и Факультет электрической инженерии Университета г. Ноттингем, NG7 2 RD, Великобритания
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
PDF версия
Обнаружена и исследована фотолюминесценция в диапазоне 1.2-1.4 эВ в слоях GaN : As, выращенных на подложках (0001) Al2O3. Фотолюминесценция обусловлена излучательной рекомбинацией в нанокристаллитах GaAs, самоорганизующихся в матрице GaN в процессе роста. Интенсивность фотолюминесценции максимальна при температуре роста ~ 780oC, что объясняется конкуренцией нескольких зависящих от температуры процессов, влияющих на вероятность образования нанокристаллитов. На высокоэнергетическом крае полосы излучения наблюдаются линии, обусловленные рекомбинацией связанных экситонов в нанокристаллитах GaAs и фононными репликами связанных экситонов. Энергии соответствующих оптических фононов характерны для GaAs. В спектрах возбуждения фотолюминесценции наблюдаются особенности, относящиеся к резонансному возбуждению свободных и связанных экситонов, а также к возбуждению экситонов с одновременным испусканием оптических фононов.
  1. J.W. Ager III, W. Walukiewicz. Semicond. Sci. Technol., 17, 741 (2002)
  2. I.A. Buyanova, W.M. Chen, B. Monemar. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 6, 2 (2001)
  3. R. Schwabe, W. Seifert, F. Bugge, R. Bimdemann, V.F. Agekyan, S.V. Pogarev. Sol. St. Commun., 55, 167 (1985)
  4. S. Sakai, Y. Ueta, Y. Terauchi. Jap. J. Appl. Phys., 32, Pt 1, 4413 (1993)
  5. A.J. Winser, S.V. Novikov, C.S. Davis, T.S. Cheng, C.T. Foxon, I. Harrison. Appl. Phys. Lett., 77, 2506 (2000)
  6. B. Gill, A. Morel, T. Taliercio, P. Lefebvre, C.T. Foxon, I. Harrison, A.J. Winser, S.V. Novikov. Appl. Phys. Lett., 79, 69 (2001)
  7. A.V. Andrianov, S.V. Novikov, R. Xia, T. Li, S. Bull, A.J. Winser, C.R. Staddon, I. Harrison, E.C. Larkins, C.T. Foxon. Proc. 26th Int. Conf. on Phys. of Semicond. (Edinburgh, Scotland, UK, 2002) D19
  8. A.V. Andrianov, S.V. Novikov, T. Li, R. Xia, S. Bull, A.J. Winser, I. Harrison, E.C. Larkins, C.T. Foxon. Phys. Status Solidi B, 238, 204 (2003)
  9. T.H. De Keijser, E.J. Mittemeijer, H.C.F. Rozendaal. J. Appl. Crystallogr., 16, 309 (1983)
  10. E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
  11. R.L. Willardson, A.C. Beer. In: Semiconductors and Semimetals (N. Y.-London, Academic Press, 1972) v. 8
  12. T. Makimoto, N. Kobayashi. Appl. Phys. Lett., 67, 688 (1995)
  13. T. Shima, Y. Mikita, S. Kimura, T. Iida, H. Sanpei, M. Yamaguchi, K. Kudo, K. Tanaka, N. Kobayashi, A. Sandhu, Y. Hoshino. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 127/128, 437 (1997)
  14. J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
  15. E. Gross, S. Permogorov, V. Travnikov, A. Selkin. J. Phys. Chem. Sol., 31, 2595 (1970)
  16. V.A. Kharchenko, M. Rosen. J. Luminesc., 70, 158 (1996)
  17. M. Ghanassi, M.C. Schanne-Klein, F. Hache, A.I. Ekimov, D. Ricard, C. Flyatzanis. Appl. Phys. Lett., 62, 78 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme