Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Локализация дырок в квантовой молекуле InAs / GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследована эмиссия дырок из состояний в системе вертикально сопряженных квантовых точек InAs, в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs в зависимости от толщины прослойки GaAs между двумя слоями квантовых точек InAs и от величины напряжения обратного смещения Ur. Было установлено, что для квантовой молекулы, состоящей из двух вертикально сопряженных самоорганизующихся квантовых точек в гетероструктуре InAs / GaAs при толщинах прослойки GaAs 20 и 40 Angstrem между двумя слоями квантовых точек InAs, реализуется эффект локализации дырок в одной из квантовых точек. При толщинах прослойки GaAs 100 Angstrem было обнаружено неполное связывание двух слоев квантовых точек, что приводило к перераспределению локализации дырок между верхними и нижними квантовыми точками при изменении напряжения Ur, прикладываемого к структуре. Исследуемые структуры с вертикально сопряженными квантовыми точками выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии за счет эффектов самоорганизации.
- M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Lunev, A.V. Sakharov, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, P.S. Kop'ev, L.V. Asryan, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner. J. Appl. Phys., 83, 556 (1998)
- T. Lundstrom, W. Schoenfeld, H. Lee, P.M. Petroff. Science, 286, 2312 (1999)
- M. Korkusinski, P. Hawrylak. Phys. Rev. B, 63, 195 311 (2001)
- X.Q. Li, Y. Arakawa. Phys. Rev. A, 61, 06230 (2000)
- B. Partoens, F.M. Peeters. Phys. Rev. Lett., 84, 4433 (2000)
- F. Troiani, U. Hohenester, E. Molinari. Phys. Rev. B, 65, 161 301 (2002)
- M. Bayer, P. Hawrylak, K. Hinzer, S. Fafard, M. Korkusinski, Z.R. Wasilewski, O. Stern, A. Forchel. Science, 291, 451 (2001)
- W. Sheng, J-P. Leburton. Phys. Rev. Lett., 88, 16, 167 401 (2002)
- I. Shtrichman, C. Metzner, B.D. Gerardot, W.V. Schoenfeld, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 65, 081 303 (2002)
- H.J. Krenner, A. Zrenner, G. Abstreiter. In: Abstract 26th Int. Conf. on the Physics of Semicond. (Edinburgh, Scotland, UK, 29 July--2 August 2002) pt. 1, p. 204
- T. Bryllet, M. Borgstrom, T. Sass, B. Gustafson, L-E. Wernersson, W. Seifert, L. Samuelson. In: Abstract 26th Int. Conf. on the Physics of Semicond. (Edinburgh, Scotland, UK, 29 July--2 August 2002) pt. 3, p. 2
- М.М. Соболев, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов. ФТП, 36, 1089 (2002)
- M.M. Sobolev, V.M. Ustinov, G.E. Cirlin. Physica B, 340--342, 1103 (2003)
- N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenrech. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)
- S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistopl, L. Samuelson, W. Seifert. J. Appl. Phys., 84, 3747 (1998)
- A. Patan\`e, A. Levin, A. Polimeny, F. Schindler, P.C. Main, L. Eaves, M. Henini. Appl. Phys. Lett., 77, 2979 (2000)
- W. Sheng, J-P. Leburton. J. Appl. Phys., 81, 4449 (2002).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
