Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Резонансное комбинационное рассеяние света и атомно-силовая микроскопия многослойных наноструктур InGaAs/GaAs с квантовыми точками
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2University of Arkansas, Departament of Physics, Arkansas, USA
2University of Arkansas, Departament of Physics, Arkansas, USA
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Методами атомно-силовой микроскопии, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света исследован переход от двухмерного (2D) псевдоморфного роста к трехмерному (3D) (наноостровковому) в многослойных структурах InxGa1-xAs/GaAs, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией. Номинальная концентрация In в InxGa1-xAs варьировалась от x=0.20 до 0.50. Толщина осаждаемых слоев InxGa1-xAs и GaAs составляли 14 и 70 монослоев соответственно. Показано, что при данных толщинах переход 2D-3D имеет место при x>= 0.27. Установлено, что формирование квантовых точек InxGa1-xAs (наноостровков) не сводится к классическому механизму Странского-Крастанова, а существенно модифицируется процессами вертикальной сегрегации атомов In и интердиффузии атомов Ga. В результате InxGa1-xAs может моделироваться 2D слоем с пониженной концентрацией In (x<0.20), переходящим в тонкий слой, включающий наноостровки, обогащенные In (x>0.60). Для многослойных сруктур InxGa1-xAs можно реализовать латеральное выстраивание квантовых точек в цепочки в направлении [ 110] и улучшение однородности их размеров.
- Rosenaur, D. Gerthsen, D. Van Dyck, M. Arzberger, G. Bohm, G. Abstreiter. Phys. Rev. B, 64, 245 334 (2001); I. Kegel. T.H. Metzger, A. Lorke, J. Peist, J. Stangl, G. Bauer, K. Nordlund, W.V. Schoenfeld, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 63, 035 318 (2001); T. Walther, A.G. Gullis, D.J. Norris, M. Hopkinson. Phys. Rev. Lett., 86, 2381 (2001); N. Liu, J. Ternsoff, O. Baklenov, A.L. Holmes, Jr., C.K. Shih. Phys. Rev. Lett., 84, 334 (2000)
- C. Teichert, L.J. Peticolas, J.C. Bean, J. Ternsoff, M.J. Lagally. Phys. Rev., B, 53, 16 334 (1996)
- G.S. Salamon, S. Komarov, J.S. Hariss, Y. Yamamoto. J. Cryst. Growth, 175/176, 707 (1997)
- Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, N. Kabayashi. Phys. Rev. Lett., 75, 2542 (1995)
- S. Guha, A. Madhukar, K.C. Rajkumar. Appl. Phys. Lett., 57, 2110 (1990)
- G.S. Salamon, J.A. Trezza, A.F. Marshall, J.S. Harris, Jr. Phys. Rev. Lett., 76, 952 (1996)
- Z.M. Wang, K. Holmes, Yu.I. Mazur, G.I. Salamo. Appl. Phys. Lett., 84, 1931 (2004)
- H. Wen, Z.M. Wang, and G.I. Salamo. Appl. Phys. Lett., 84, 1756 (2004)
- H. Li, Q. Zhuang, Z. Wang, T. Daniels--Race. Appl. Phys. Lett., 77 (1), 188 (2000)
- T.P. Persall, R. Carles, J.L. Portal. Appl. Phys. Lett., 62, 436 (1993)
- Yu.A. Pusep, G. Zanelatto, S.W. Da Silva, J.C. Galzerani, P.P. Gonzalez--Borrero, A.I. Toropov, P. Basmaji. Phys. Rev. B, 58, R1770 (1998)
- G. Landa, R. Carles, I.B. Runucci. Sol. St. Commun, 86, 351 (1993)
- В.В. Стрельчук, В.П. Кладько, М.Я. Валах, В.Ф. Мачулин, А.А. Корчевой, Е.Г. Гуле, А.Ф. Коломыс, Ю.И. Мазур, З.М. Ванг, М. Хиао, Дж. Саламо. Наносистемы, наноматериалы, нанотехнологии, 1 (1), 309 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
