Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения

Авакянц Л.П.¹, Боков П.Ю.¹, Червяков А.В.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 17 мая 2004 г.

Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

PDF версия

Методом спектроскопии фотоотражения исследован процесс активации примеси в кристаллаx InP, имплантированных ионами Be⁺ с энергией 100 кэВ и дозой 10¹³ см^-2 и подвергнутых термическому отжигу в течение 10 с. При температурах отжига до 400^oC в спектрах отсутствуют линии, характерные для кристаллического InP, что свидетельствует о разупорядочении кристаллической решетки вследствие ионной имплантации. При температурах отжига 400-700^oC в спектрах наблюдаются линии, связанные с фундаментальным переходом InP (1.34 эВ) и переходом между зоной проводимости и спин-орбитально отщепленной подзоной валентной зоны (1.44 эВ), что указывает на восстановление кристаллической структуры. Для образцов, отожженных при температуре 800^oC, в спектре фотоотражения наблюдаются осцилляции Франца-Келдыша, что свидетельствует об активации примеси. По периоду осцилляций определена концентрация свободных носителей, которая составила 2.2· 10¹⁶ см^-3.

L.P. Avakyants, V.S. Gorelik, E.D. Obraztsova. J. Molecul. Struct., 219, 141 (1991)
M. Gargouri, B. Prevot, C. Schwab. J. Appl. Phys., 62 (9), 3902 (1987)
Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, И.П. Казаков, А.В. Червяков. Вестн. МГУ. Сер. 3, Физика, астрономия, 4, 48 (2002)
D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
Л.П. Авакянц, В.С. Горелик, А.Б. Коршунов, Э.М. Темпер, А.В. Червяков. Кр. Сообщ. по физике ФИАН, вып. 2, 17 (1999)
P.J. Hughes, B.L. Weiss, T.J.S. Hosea. J. Appl. Phys., 77 (12), 6472 (1995)
R.N. Bhattacharya, H. Shen, P. Parayanthal, F.H. Pollak, T. Coutts, H. Aharoni. Phys. Rev. B, 37 (8), 4044 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель